河野 省三 | 東北大・理
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概要
関連著者
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河野 省三
東北大・理
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河野 省三
東北大科研
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河野 省三
東北大
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河野 省三
東北大理
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虻川 匡司
東北大多元研
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虻川 匡司
東北大科研
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虻川 匡司
東北大学多元物質科学研究所
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鈴木 章二
東北大院・理
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河野 省三
東北大多元研
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鈴木 章二
東北大理
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佐川 敬
東北大
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佐川 敬
東北大教養
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虻川 匡司
東北大理
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佐川 敬
東北大理
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木下 豊彦
東大物性研
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高桑 雄二
東北大科研
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東山 和幸
筑波大物理
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佐藤 繁
東北大理
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遠田 義晴
東北大通研
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柿崎 明人
東大物性研
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後藤 忠彦
東北大 科研
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東山 和幸
東北大理
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後藤 忠雄
東北大科研
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中村 夏雄
宮城沖電気
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佐藤 繁
東北大院理
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遠田 義晴
東北大理
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中村 真之
東北大 科研
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虻川 匡司
東北大学科学計測研究所
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河野 省三
東北大学科学計測研究所
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下村 勝
静岡大電子研
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佐川 敬
東北大・理
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Yeom H.-w.
東北大 科研
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Yeom H.-w.
東北大理:(現)東大理
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岡根 哲夫
東北大理
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島谷 高志
東北大科研
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中村 真之
東北大科研
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坂本 統徳
電総研
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佐々木 雅夫
東北大理
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桜井 博
山梨大工
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河野 省三
東北大 理
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岡根 哲夫
原子力機構:spring-8
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Yeom H.w.
Yonsei Univ. Seoul Kor
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佐藤 繁
東北大 理 物理
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桜井 博
東北大理
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石井 武比古
東大物性研
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森 優治
東北大科研
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木村 慎之
東北大科研
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小杉 亮治
東北大科研
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鈴木 章二
東北大・理
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Yeom H.W
東北大理学部
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横塚 達男
松下技研
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木下 豊彦
東北大 理
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中村 夏雄
東北大理
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後藤 忠彦
東北大科研
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福谷 博仁
筑波大物理
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高橋 信一
東工大・理
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虻川 匡司
東北大 科研
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鈴木 章二
東北大 理
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河野 省三
東北大 科研
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柏倉 隆之
東北大理
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Yeom H.-W.
東北大理
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Chen X.
Univ. of Wisconsin-Milwaukee
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佐々木 泰孝
東北大理
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高橋 秀行
東北大理
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坂本 邦博
電総研
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隅谷 宗太
東北大科研
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柏倉 隆之
宇大工
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下村 勝
東北大科研
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金 起先
東北大科研
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久松 史明
東北大学工学研究科
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吉村 浩司
高エ研
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SHIVAPRASAD S.M
東北大 科研
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加藤 博雄
弘前大理工
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木下 豊彦
NEDO
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安田 安生
静岡大学電子工学研究所
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福田 安生
静岡大学電子工学研究所
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福田 安生
静岡大学電子科学研究科
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横塚 達男
東北大理
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福田 安生
日本鋼管(株)中央研究所
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鈴木 章二
東北大理学部
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佐藤 繁
東北大理学部
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木下 豊彦
東北大理
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佐川 敬
東北大 理
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河野 省三
東北大学多元物質科学研究所
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Yeom H.W.
東大理
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高桑 雄二
東北大・理
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横塚 達男
東北大・理
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吉村 浩司
東北大科研
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Yeom H
東大工
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岩渕 美保
筑波大物理
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細井 真也
筑波大物理
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高桑 雄二
東北大学・科学計測研究所
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朴 鍾允
成均館大
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東山 和幸
東北大・理
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高橋 信一
東北大・理・物理
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Yeom H.W.
東北大理
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太田 寛
東北大理
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久松 史明
東北大科研
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村松 夏弘
東北大科研
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花野 太一
東北大科研
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Huff W.R.A.
東北大科研
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小倉 康資
東北大 科研
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遠田 義晴
東北大 理
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菅 滋正
阪大基礎工
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菅 滋正
大阪大学基礎工学部物性物理工学科
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林 俊典
東ソー(株)バイオサイエンス事業部
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江島 丈雄
東北大科研
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高橋 隆
東北大理
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藤井 純
筑波大物理
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奥沢 誠
東北大理
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TAMASAKU Kenji
SPring-8/Riken
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佐藤 繁
東北大院・理
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下村 勝
東北大 科研
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比嘉 昌
東北大 科研
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YEOM H.W
東北大 科研
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佐藤 繁
東北大 理
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谷 順二
東北大 流体研
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窪田 政一
東大物性研
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村田 好正
東大物性研
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高橋 隆
東北大・理
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三浦 達志
東北大理
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藤沢 正美
東大物性研
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曽田 一雄
阪府大工
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曽田 一雄
東大物性研
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菅原 英直
群馬大教育
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坂本 一之
千葉大院融合
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加藤 博雄
KEK-PF
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八重樫 裕幸
秋田看護福祉大学 看護福祉学部
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Tamasaku Kenji
Superconductivity Research Course University Of Tokyo
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Tamasaku Kenji
Superconductivity Research Course The Niversity Of Tokyo
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山田 みつき
東北大理
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福田 安生
静岡大電子研
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福田 安生
静岡大学大学院電子科学研究科
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市川 祐永
鋼管計測(株)
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眞田 則明
静岡大学電子工学研究所
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下村 勝
東北大学科学計測研究所
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藤森 伸一
東北大理
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小倉 康資
東北大科研
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坂本 一之
東北大院理
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鈴木 俊宏
東北大院理
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坂木 一之
東北大院理
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鈴木 幸二
東北大理
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林 俊典
東ソー(株)
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石井 武比古
東北大理
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宮原 恒〓
高エ研放射光
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江島 丈雄
東北大理
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Park Chon-Yun
成均館大理
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Yu Sueng-Woo
成均館大理
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Kang Kum-A
成均館大理
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山崎 智之
東北大学多元研
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三木 一司
電総研
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佐藤 繁
東北大科研
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廉 罕雄
東北大理
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Shivaprasad S.M
東北大理学部
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Chen X
東北大理学部
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虻川 司
東北大科研
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Yeom Woong
東北大科研
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藤沢 雅美
東大物性研
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谷 順二
東北大流体研
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宮原 恒〓
高工研
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前田 文彦
東北大理
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三木 一司
電子技術総合研究所
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加藤 博雄
高エ研放射光
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大沢 日佐雄
東北大理
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奥沢 誠
東北大・理
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石井 武比古
東北大・理
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山田 みつき
Nec基礎研
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藤井 純
学習院大理
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大沢 日佐雄
株)ニコン
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古澤 賢司
東北大・理
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古沢 賢司
東北大・理
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下村 勝
東北大多元研
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宗像 学
東北大多元研
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佐藤 圭
東北大多元研
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川和 拓夫
東北大多元研
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Widstrand S.
Karlstad大
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Oh J
東大工
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八重樫 裕幸
秋田桂城短期大学地域社会学科
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大澤 日佐雄
東北大・理
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遠田 義晴
東北大・理
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矢島 健太郎
東北大学多元研
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三木 一司
物材・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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廉 罕雄
東大埋
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坂本 仁志
三菱重工業株式会社基盤技術研究所
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西森 年彦
三菱重工基盤研
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坂本 仁志
三菱重工基盤研
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佐藤 まさえ
東北大理
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高橋 信一
東北大理
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後籐 忠彦
東北大科研
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Huff W.R.A
東北大科研
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相沢 勝雄
東北大
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Kanomata Takeshi
Department Of Applied Physics Tohoku-gakuin University
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後藤 忠彦
東北大学科学計測研究所
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岩淵 健二
東北大学科学計測研究所
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相沢 勝雄
東北大学科学計測研究所
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柳田 里見
東北大学科学計測研究所
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高東 修二
東ソー(株)
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塚島 順一
東ソー(株)
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八重樫 裕幸
東北大理
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太田 寛
東北大 理
著作論文
- 26a-YR-9 X線光電子回折によるSi(001)2×3-Ag最表面層の構造解析
- 3a-W-10 PF BL-18Aにおける高分解能角度分解光電子分光
- (NH_4)_2S_x処理したInAs(111)A-(2×2)-S表面の構造解析
- Surface structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface Studied by Synchrotron Radiation Photoelectron Diffraction
- Surface Electronic Structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface
- 31p-PSB-45 Core-level photoemission study of In (Al)adsorption on the Si(001)2x1 surface
- 27pPSA-23 X線光電子回折によるCa/Si(111)-(3×2)表面の構造の研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 27p-ZS-9 シンクロトロン放射角度分解光電子分光法によるSi(001)2x1-Na表面の研究
- 31p-YF-5 100-200eVの光電子回折による表面構造解析
- 5p-B-6 Ge蒸着Si(001)表面の炭化過程
- 31a-T-9 X線光電子回折法によるSi(001)c(4×4)-C表面の構造解析
- 31p-PSB-27 Ge/Si(001)初期界面における相互拡散
- 29a-J-7 Surface structure analysis of Si(001)2×2-In and 2×3-In by x-ray photoelectron diffraction
- 5a-Q-4 Submonolayer Growth of Al on a Single-domain Si(001)-2×1 : A LEED and XPS Study
- 31p-WC-2 XPDによる表面偏析Geエピタキシャル成長機構の解析 : Sb/Ge/Si(001)
- 13a-PS-5 オ-ジェ電子回折法によるGe吸着Si(001)表面の構造解析
- 25p-Z-2 W(100) c(2×2)-Au, Ag表面のXPD
- 25p-PS-48 シンクロトロン放射光電子分光法によるK/Si(001)2x1表面の研究
- 25a-R-5 低温Si(001)表面上のK, Na吸着、被覆率依存性
- 2p-E-4 低温Si(001)c(4x2)清浄及びNa吸着表面のARUPS
- 30p-D-10 Si(111)√×√-Ag, Ga, Sn表面内殻準位シフト
- 26pXC-8 Si表面上におけるピロール及びピラジンの吸着構造(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 17pWD-3 光電子回折によるエチレン及びベンゼン吸着Si(001)表面の構造解析
- 25aWD-9 光電子回折によるSi(001)(1×2)-Sb表面におけるSi2p内殻準位シフトの同定
- 25pW-1 SI(001)表面上ビスマス細線構造(1) : 構造解析
- 30p-D-12 Si(111)√×√-Biの角度分解UPS
- 30p-D-9 Si(111)√×√-Snの回折XPS
- 1p-S-11 Au/Si(111)表面の回折XPSII
- 1p-S-2 Si(111)√×√-Gaの角度分解UPS
- 4p-E-2 S1(111)√×√-Alの角度分解UPS
- 29aZF-7 RHEED による Si(111)√x√-Ag 表面構造相転移の研究
- 4a-PS-30 低温Cs/Si(001)表面のLEED,XPD
- 30a-PS-14 Ge/Si(001)のSTM観察I : 高温吸着(≧350℃)
- 30a-PS-13 Ge/Si(001)のSTM観察II : 室温吸着
- 28a-F-7 斜入射電子線刺激脱離法によるダイヤモンド表面のその場観察
- 3a-C4-8 Si(001)2x1-Cs表面のX線光電子回折
- 30a-A-7 Ag(110)表面の回折XPS
- 4p-NM-7 Sm,Eu,Gd,Ybの表面4f準位-I;SOR,UPS
- 4p-NM-6 光電子の運動量不確認性と1T-TaS_2のバンド構造
- 31a-WC-11 高分解能内殻準位光電子分光によるSi(111)4x1-In表面の研究
- 12p-DJ-9 角度分解光電子分光によるシングルドメインSi(111)4x1-In表面の電子状態
- 30a-ZD-12 低速電子回折、X線光電子回折によるSi(001)-Na表面の研究
- 科学解説 CVD成長ダイヤモンド表面の電子分光・回折・顕微鏡による局所分析
- 31a-T-5 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2×1表面バックルドダイマーの観察II
- 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2x1表面バックルドダイマーの観察
- 1次元表示型エネルギ-分析器 (マイクロチャネルプレ-トを利用した表面研究技術(技術ノ-ト))
- 8a-H-7 表面電気移動と単分域Si(001)4x3-In構造形成
- 29p-F-10 In/Si(001)表面電気移動の観察
- 改良型一次元表示電子分光器の制作と性能評価
- 15a-DH-7 オージェ電子回折、斜入射後方散乱中速電子回折によるAg/Si(111)√×√, Ag / Ge / Si(111)√×√表面構造解析
- 25p-Y-6 (斜入射)中速後方散乱電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析 III
- 31p-YF-2 高温Si(001)表面における炭化反応のRHEED-AES「その場」観察
- 12a-Y-6 Sn/Ge(111)表面の回折XPS,AESIII
- 27p-Y-2 Sn/Ge(111)表面の回折×PS, AES II
- 27p-Y-1 Sn/Ge(111)表面の回折×PS, AES, I
- 30a-BE-5 回折XPSによるAg/Si(111)構造解析
- 3a-C4-13 逆光電子分光装置の改良 : Si(111)√3x√3-Sn,-Inを例として
- 26p-P-8 Si(001)2×1-Kの角度分解UPS
- 26a-P-11 Sn/Si(111)表面の逆光電子分光
- 27a-Y-5 Si(111)(1×1), (7×7)表面電子状態の温度変化
- 22pT-4 振動相関熱散漫散乱によるIn吸着Si(111)表面構造解析
- 1p-TA-13 Na, Ga/Si(001) Single-Domain表面のARUPS
- 3a-T-9 Single-Domain O/アルカリ金属/Si(001)2x1 NEA表面のARUPSとXPD
- 3a-C4-9 Single-Domain Si(001)2x1-K表面の角度分解UPS
- 3a-TA-2 GaAsスピン偏極電子源の性能
- 28pPSB-24 X-ray photoelectron diffraction study of the structures of Pt/Si(001) surface
- 熱散漫散乱電子による直接的な表面構造解析
- 熱散漫散乱パターソン解析による表面構造の研究
- 8a-H-6 Si(001)2x1-Cs表面におけるSiダイマーのバックリング
- 26a-P-12 Si(111)√×√,Sb表面のXPD
- 30p-BPS-18 (斜入射)中速後方散乱電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析II
- 24p-R-10 (斜入射)中速後方散乱電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析
- 24p-X-7 光電子分光
- 4a-PS-41 Si(111)表面上のInの移動
- 30a-TA-8 UHV-SEMによるIn/Si(111)表面の研究
- 4p-Y-5 Si(001)表面とアルカリ吸着 : 光電子分光
- 3a-C4-12 超高真空SEM装置の試作とAg/Si(111)表面
- 光電子分光,光電子回折法によるSi,Ge(111)面上の金属初期吸着の研究(表面に特有な超格子構造の解析とその新しい方法の開発,科研費研究会報告)
- 1p-KM-3 光電子回折:Ag-Si(111),Sn/Ge(111)
- 12a-Y-7 Sn/Ge(111)表面の直衝突イオン散乱分光
- 31p-F-5 固体表面の電子状態
- 30p-C-15 バクテリオロドプシンにおけるtwo external point charge modelの検討
- 3a-L-13 I-III-IV_2三元化合物の価電子帯のX線光電子スペクトル
- 3p-K-2 銅ハライドのX線光電子スペクトル
- 28a-F-6 Si(001)2×l 表面上のIn脱離過程の RHEED-AES 観察
- Atomic Geometry of Mixed Ge-Si Dimers in the Initial Stage of Ge Growth on Si(001)2x1
- 4p-NM-5 Cu(111)_3d表面準位のエネルギー分散測定
- 30p-H-4 角度分解光電子分光とSi表面電子状態
- 29a-J-12 Multiple scattering effect on x-ray photoelectron diffraction from metal/Si(111) surfaces
- 30p-H-4 角度分解光電子分光とSi表面電子状態
- アルカリ金属吸着Si(001)2×1表面の電子状態
- Si (001) 表面へのアルカリ金属吸着
- 1p-TA-9 Si(001)-Cs表面のX線光電子回折、Cs被覆率依存性
- 光電子回折法 (PED, XPD)
- XPD法で調べた半導体初期界面構造
- 30p-H-13 Bi,Sn/Si(111)表面のXPD(表面・界面)
- 29a-TJ-3 Si(111)√3x√3-Ag表面のXPDの再解析(29aTJ 表面・界面)
- 28p-TJ-9 Single-Domain Si(001)2x1-Cs表面の角度分解UPS(28pTJ 表面・界面)