坂木 一之 | 東北大院理

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概要

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関連著者

• 坂木 一之

  東北大院理

• 坂本 一之

  千葉大院融合

• 坂本 一之

  東北大院理

• 須藤 彰三

  東北大院理

• 須藤 彰三

  東北大学大学院理学研究科物理学専攻

• 近藤 大雄

  東北大院理

• 脇田 高穂

  Jst-crest:岡山大理界面

• 脇田 高徳

  東北大院理:東大物性研

• 菅 滋正

  阪大基礎工

• 木下 豊彦

  東大物性研

• 坂本 一之

  阪大基礎工

• 太田 俊明

  東大理

• 原沢 あゆみ

  東大物性研

• 大門 寛

  阪大基礎工

• 内田 和喜男

  東北大院理

• 木下 豊彦

  NEDO

• 米澤 卓也

  阪大基礎工

• 粕谷 厚生

  学際セ

• 柿崎 明人

  東大物性研

• 鈴木 俊宏

  東北大院理

• 中辻 寛

  阪大基礎工

• 武田 英夫

  東北大院理

• 牛見 義光

  東北大学大学院理学研究科

• 脇田 高徳

  東北大院理

• 奥田 太一

  東大物性研

• 木村 昭夫

  東大物性研

• 馬渡 健児

  東北大院理

• 粕谷 厚生

  東北大金研

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  千葉大院融合

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  東北大院理

• 雨宮 健太

  東大理

• 牛見 義光

  東北大院理

• 須藤 彰三

  東北大理

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  東北大理

• 太田 俊昭

  東大理

• 中辻 寛

  東大物性研

• 小森 文夫

  東大物性研

• 今井 彩子

  千葉大院自然

• 角田 治哉

  千葉大院自然

• 坂本 一之

  千葉大院自然

• 小林 敬介

  東北大院理

• 高田 真也

  東北大院理

• 澤野 史武

  東北大院理

• 坂本 一之

  東北大学大学院理学研究科

• 須藤 彰三

  東北大学大学院理学研究科

• 奥田 太一

  阪大基礎工

• 原田 昌史

  東北大院理

• 木下 豊彦

  高輝度光科学研究センター(jasri)

• 栃原 浩

  九州大学大学院総合理工学研究院

• 尾嶋 正治

  東大院工

• 水野 清義

  九大院総理工

• 栃原 浩

  九大総理工

• 渡辺 明

  東北大多元研

• 岡林 潤

  東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻

• 上野 信雄

  千葉大院自然

• 粕谷 厚生

  東北大学際セ

• 松井 文彦

  東大理

• 栃原 浩

  北大触媒研

• 栃原 浩

  北大触媒セ

• 栃原 浩

  物性研

• Eriksson P.

  IFM Linkoping Univ.

• Uhrberg R.

  IFM Linkoping Univ.

• Uhrberg R.I.G.

  IFM Linkoping大学

• 正田 亮

  東大物性研

• 豊田 智史

  東大院工

• 岡林 潤

  東大院工

• Zhang H.

  IFM, Linkoping大学

• Uhrberg R.

  IFM, Linkoping大学

• 劉 希

  東北大学際セ

• 渡辺 明

  東北大反応研

• 平野 真澄

  東北大院理

• 土井 里志

  東北大院理

• 脇田 高穂

  東北大院理

• 小野 寛太

  総研大・高エ研

• 難波 秀利

  立命館大理工

• 木下 豊彦

  Jasri

• 難波 秀利

  東大理

• Eriksson P.

  Ifm Linkoping Univ.:nims

• 西本 浩之

  阪大基礎工

• 奥田 太一

  広島大学放射光科学研究センター

• 鈴木 利尚

  東北大院理

• 豊田 智史

  東京大学大学院工学系研究科

• 栃原 浩

  九大

• 粕谷 厚生

  東北大学際

• 脇田 高徳

  東北大理

• 胡 長武

  東北大金研

• 栃原 浩

  九州大学工学部

• Watanabe A

  Univ. Tokyo Tokyo

• 田中 悟

  九大院工

• 白澤 徹郎

  東京大学物性研究所

• 長尾 忠昭

  物材機構

• 木村 昭夫

  広大理

• 松井 文彦

  奈良先端大物質創成

• 辻川 雅人

  金沢大自然

• 小田 竜樹

  金沢大自然

• 木村 昭夫

  広島大理

• 坂本 一之

  千葉大院

• 平原 徹

  東大理

• 長谷川 幸雄

  東大物性研

• 田中 虔一

  東大物性研

• 小林 大介

  東大工

• 江口 豊明

  東大物性研

• 白澤 徹郎

  東大物性研

• 水野 清義

  九大総理工

• 小野 寛太

  高エ研

• 太田 俊明

  立命館大学SRセンター

• 林 賢二郎

  九大院総理工

• 林 賢二郎

  九大総理工

• 谷治 光一郎

  東大物性研

• 田中 悟

  九大工院

• 大門 真

  阪大基礎工

• 虻川 匡司

  東北大理

• 小野 寛太

  高エネ研PF

• Yeom H.

  延世大

• Yeom H.

  Yonsei大

• 柿崎 明人

  物構研

• 八田 振一郎

  京大院理

• 虻川 匡司

  東北大多元研

• 虻川 匡司

  東北大学多元物質科学研究所

• 柿崎 明人

  高エネルギー加速器研究機構・物質構造科学研究所

• 飯盛 拓嗣

  東大物性研

• 河野 省三

  東北大科研

• Setvin M.

  物材機構

• 三木 一司

  物材機構

• Lu Bin

  東大物性研

• 坂本 一之

  千葉大院・融合

• Rossei Federico

  東大物性研

• Eriksson P.E.J.

  Linkoping大学

• Uhrberg R.I.G.

  Linkoping大学

• 大岩 みか

  千葉大院自然

• Adell M.

  MAX-lab

• 水野 清義

  千葉大院自然

• 上野 信雄

  九大総理工

• 平原 徹

  東大院理

• 松田 巌

  東大院理

• 長谷川 修司

  東大院理

• 坂本 一之

  東北大学理

• 河野 省三

  東北大多元研

• 和田 光世

  奈良先端大

• 島 政英

  東北大院理

• Pick A.

  IFM, Linkoping大学

• Uhrberg R.I.G.

  IFM, Linkoping大学

• 小林 大介

  東大院工

• Zhang H.

  Link ping大学

• Uhrberg R.

  Link ping大学

• Jemander S.

  IMF, Linkoping Univ.

• Hansson G.

  IMF, Linkoping Univ.

• Uhrberg R.

  IMF, Linkoping Univ.

• 原田 壮基

  東北大院理

• Czajka R.

  東北大学際セ

• 松田 巌

  東大理

• Yeom Han

  東大理

• 東北大院理 和喜男

  東北大院理

• 近藤 大雄

  東北大学大学院理学研究科

• 木村 昭夫

  東京大学物性研究所

• 三木 一司

  電総研

• 内田 和喜男

  東北大理

• 河野 省三

  東北大・理

• 長谷川 幸雄

  東京大学物性研究所

• 江口 豊明

  東京大学物性研究所

• 松本 祐司

  東大物性研

• Uhrberg R.

  Ifm Linkoping大学

• Uhrberg R.i.g.

  Linkoping University

• 松本 祐司

  東京大学物性研究所

• Yeom Han

  東大大工

• 田中 虎一

  東大物性研

• 中村 清美

  阪大基礎工

• 大川 祐司

  東大物性研

• 三木 一司

  物材機構ナノマテ:産総研ナノテク

• 三木 一司

  物材・材料研究機構 ナノマテリアル研究所

• 三木 一司

  産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター

• 三木 一司

  物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所

• 三木 一司

  (独)物質・材料研究機構 ナノ有機センター

• 三木 一司

  (独)物質・材料研究機構ナノ有機センターナノアーキテクチャーグループ

• Yeom H.w.

  Yonsei Univ. Seoul Kor

• 河野 省三

  東北大

• Jemander S.

  Imf Linkoping Univ.

• Czajka R

  東北大金研

• Oda T

  Kanazawa Univ. Kanazawa Jpn

• Uhrberg R.

  Imf Linkoping Univ.

• Pick A.

  Ifm Linkoping大学

• 脇田 高徳

  東北大学大学院理学研究科物理学専攻

• 鈴木 利尚

  東北大理

• 落合 貴

  東北大金研

• 粕谷 厚夫

  東北大金研

• 粕谷 厚夫

  東北大融合研

• 米沢 卓也

  阪大基礎工

• 長尾 忠昭

  物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター

• Hansson G.

  Imf Linkoping Univ.

• 田中 悟

  九州大学大学院工学研究院

• Rossei Federico

  東大物性研:ケベック大inrs-emt

• 虻川 匡司

  東北大学多原研

• 小田 竜樹

  金沢大理工

• 松井 文彦

  奈良先端大

• 小野 寛太

  高エネ研

• 虻川 匡司

  東北大学理

• 小田 竜樹

  金沢大自然:金沢大理工

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著作論文

• 30pRD-1 Tl/Si(111)-1×1表面電子構造とC_3対称性スピン分裂(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 領域9,領域5,領域7「分光学的手法による有機薄膜研究の最先端」(2009年秋季大会シンポジウムの報告)
• 22pPSA-19 SiC(0001)上にエピタキシャル成長したSiON超薄膜の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pZK-1 はじめに(分光学的手法による有機薄膜研究の最先端,領域9,領域5,領域7合同シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 30aRD-1 Si(110)-(16×2)表面の電子状態(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXB-8 窒素吸着銅(001)表面上のC_吸着構造 II(表面界面構造,22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aRJ-7 スピン軌道結合により分裂したTl/Si(111)の表面電子バンド(24aRJ 領域9,領域3合同シンポジウム 反転対称性の破れた表面におけるスピンと軌道,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24aRJ-7 スピン軌道結合により分裂したTl/Si(111)の表面電子バンド(反転対称性の破れた表面におけるスピンと軌道,領域9,領域3合同シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSA-102 In/Si(111)-(4×1)表面上に形成したC_超薄膜の構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24pXJ-5 Si(111)表面上に形成したGdシリサイド超薄膜の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18pTG-3 光電子分光によるTl/Si(111)-(1×1)(√3×√3)転移の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-13 Si(111)表面上に形成したDyシリサイド薄膜の電子構造(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-12 ペンタセン超薄膜の電子構造(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pWB-2 Yb/Si(001)2×3表面における電子状態および構造(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 24aPS-124 Yb吸着によりSi(111)表面上に誘起された(3×2)超構造の電子状態(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15aPS-46 光電子回折による温度に依存した Ag/Si(111)-(√×√) の表面構造の研究(領域 9)
• 27pPSA-23 X線光電子回折によるCa/Si(111)-(3×2)表面の構造の研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 27pPSA-10 時間分解光電子分光によるSi(001)-(2×1)表面の酸化過程の研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 28pPSB-16 Si(111) 表面上に成長した Ag の表面プラズモン
• 28p-PSB-17 電子衝撃イオン脱離による O_2/Si(111)の研究II
• 20pXA-4 Si(111)-(7×7)表面上の物理吸着酸素分子の吸着・反応過程(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pWB-7 Eu吸着により誘起されたSi(111)表面上の一次元鎖構造の電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 27aWP-1 Si(111)表面上のCa一次元鎖構造の電子状態(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
• 20aPS-12 InSb (001) 表面上に成長した α-Sn 薄膜の電子状態
• 29aZF-6 室温における Si(111)-(7×7) 表面の初期酸化過程 : 準安定吸着酸素の研究
• 19pPSB-16 C_/Siヘテロ接合の界面空準位と結合配置
• 29pPSA-6 HREELSによるK/Si(111)-(3×1)表面の振動状態の研究
• 28aXE-9 シクロヘキサシランとシリコン表面の相互作用
• 24pPSA-32 Si(111)-(7×7)表面上の準安定分子状酸素の吸着過程III
• 22aWA-8 Si表面に吸着したC_の電子状態 : K共吸着量依存性II
• 24aPS-55 Si(111)7×7表面におけるシクロヘキサシランの振動状態と吸着構造
• 24aPS-20 Si(111)-(7×7)表面上の準安定分子状酸素の吸着過程II
• 24aPS-17 Si(111)7×7表面上に吸着したC_の空分子軌道の研究
• 22aW-6 NEXAFSによるC_吸着Si(001)-(2×1)表面の電子状態の研究
• 26aPS-57 Si(111)7x7表面に吸着したC_の吸着状態
• 25pW-14 In/Si(111)表面の振動状態
• 25pW-12 Si(111)-(7x7)表面上の準安定分子状酸素の吸着過程
• 25pW-11 Si表面に吸着したC_の電子状態 : K共吸着量依存性
• 28a-Q-10 Si(001)-(2×1)表面に吸着したC_の電子状態:温度依存性
• カーボン60吸着シリコン表面の電子状態
• 5p-H-12 C_を用いたSiC薄膜の成長機構
• 5p-H-11 Si(111)7×7表面に吸着したC_とSiダングリングボンドの相互作用
• 31a-K-7 Si(111)7×7表面上の長寿命分子状酸素
• 3p-J-10 HREELSとSTMの複合測定によるCu-O/Ag(110)系の研究
• 12p-DJ-10 Si(111)3×1-Na 表面の角度分解光電子分光
• 12a-DC-7 Si(113)3×1-K表面の角度分解光電子分光
• 27a-PS-24 Si表面に吸着したC_の振動状態:吸着量及び温度依存性
• カーボン 60 とシリコン表面の相互作用
• 29a-PS-13 Si表面に吸着したC_からのSiC薄膜の形成
• Si表面に吸着したC_の振動状態 : 吸着量及び温度依存性
• 29p-PS-28 Si(111)-(CH_3)_2AlHからの電子衝撃脱離イオン
• 28a-YR-6 C_吸着Si(001)-(2×1)表面の光電子分光
• 28a-YR-5 C_吸着Si(111)-(7×7)表面の電子状態 : 温度依存性
• 2a-YE-10 C_吸着Si表面の電子状態
• 金属と半導体表面の酸素吸着と酸化初期過程
• 1a-G-6 Si(111)7×7-Clの電子刺激脱離
• 13a-Ps-16 NO/Si(111)の光刺激脱離
• 12a-DH-5 Cl/Si(111)の放射光による光刺激脱離
• 29p-PSB-16 電子衝撃イオン脱離によるO_2/Si(111)の研究

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