30aRD-1 Si(110)-(16×2)表面の電子状態(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2009-03-03
著者
-
馬渡 健児
東北大院理
-
坂本 一之
千葉大院融合
-
Setvin M.
物材機構
-
Eriksson P.
IFM Linkoping Univ.
-
三木 一司
物材機構
-
Uhrberg R.
IFM Linkoping Univ.
-
坂木 一之
東北大院理
-
三木 一司
電総研
-
Eriksson P.
Ifm Linkoping Univ.:nims
-
三木 一司
物材機構ナノマテ:産総研ナノテク
-
三木 一司
物材・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
-
三木 一司
産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター
-
三木 一司
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
-
三木 一司
(独)物質・材料研究機構 ナノ有機センター
-
三木 一司
(独)物質・材料研究機構ナノ有機センターナノアーキテクチャーグループ
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