18pTG-3 光電子分光によるTl/Si(111)-(1×1)<->(√3×√3)転移の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2007-02-28
著者
-
栃原 浩
九州大学大学院総合理工学研究院
-
水野 清義
九大院総理工
-
栃原 浩
九大総理工
-
坂本 一之
千葉大院融合
-
栃原 浩
北大触媒研
-
栃原 浩
北大触媒セ
-
栃原 浩
物性研
-
Eriksson P.
IFM Linkoping Univ.
-
Uhrberg R.
IFM Linkoping Univ.
-
上野 信雄
千葉大院融合
-
坂本 一之
千葉大院自然
-
水野 清義
千葉大院自然
-
上野 信雄
九大総理工
-
坂木 一之
東北大院理
-
Eriksson P.
Ifm Linkoping Univ.:nims
-
栃原 浩
九大
-
栃原 浩
九州大学工学部
関連論文
- 原子レベルで急峻な界面構造と電子状態 : SiC上の絶縁性SiON超薄膜(最近の研究から)
- 21pGP-4 SiC微斜面上エピタキシャル数層グラフェンの電子状態(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
- 30pRD-1 Tl/Si(111)-1×1表面電子構造とC_3対称性スピン分裂(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-25 傾斜SiC上グラフェンの空間層厚制御と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 領域9,領域5,領域7「分光学的手法による有機薄膜研究の最先端」(2009年秋季大会シンポジウムの報告)
- 25pYF-8 表面、界面の元素選択電子状態 : SiON/SiC(0001)(X線発光分光の飛躍的発展〜強相関から溶液まで〜,領域5シンポジウム,領域5,光物性)
- 23aXA-9 SiON/SiC(0001)表面での電子状態の深さ依存性とその起源(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-8 軟X線吸収・発光分光法によるSiON/SiC(0001)のバンドオフセット構造の研究(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pPSB-54 光電子分光による微斜面SiC上の数層grapheneの電子状態測定(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aYH-8 数層グラフェン電子状態のSTMによる研究(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aYH-2 傾斜SiC表面上のグラフェン形成機構(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 微傾斜SiC(0001)表面上の酸窒化シリコン薄膜の作製と低速電子回折による構造解析
- 22pPSB-18 周期的SiCナノ表面におけるグラフェン形成機構 : 基板表面構造依存性(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-101 微傾斜SiC(0001)表面上に形成する周期的ナノファセット構造(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-19 SiC(0001)上にエピタキシャル成長したSiON超薄膜の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pTG-11 SiC(0001)上にエピタキシャル成長した秩序SiON超薄膜(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-25 SiC(0001)上の不活性超薄膜のLEED/STMによる構造解析(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pYE-10 6H-SiC(0001)面におけるカーボンナノチューブの核生成(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-141 6H-SiC(0001)微傾斜面の熱処理による構造変化のSTM観察(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 25pZK-1 はじめに(分光学的手法による有機薄膜研究の最先端,領域9,領域5,領域7合同シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30aRD-1 Si(110)-(16×2)表面の電子状態(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXB-8 窒素吸着銅(001)表面上のC_吸着構造 II(表面界面構造,22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aRJ-7 スピン軌道結合により分裂したTl/Si(111)の表面電子バンド(24aRJ 領域9,領域3合同シンポジウム 反転対称性の破れた表面におけるスピンと軌道,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24aRJ-7 スピン軌道結合により分裂したTl/Si(111)の表面電子バンド(反転対称性の破れた表面におけるスピンと軌道,領域9,領域3合同シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-102 In/Si(111)-(4×1)表面上に形成したC_超薄膜の構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pTG-3 光電子分光によるTl/Si(111)-(1×1)(√3×√3)転移の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pTD-5 軟X線吸収及び発光分光法によるSiON/SiC(0001)超薄膜の元素選択的電子状態の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pPSA-18 タングステン針先構造の電界イオン顕微鏡と電流-電圧特性による評価(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pPSA-19 電界放出電子を用いた低速電子回折装置の開発(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 新結晶・新物質 SiC上の結晶化SiON超薄膜
- 22pPSA-91 Cu(001)表面へのCa吸着により形成する(4×4)構造のLEEDによる決定(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXJ-7 LEED,STM,ARPESによるSi(111)-√×√R30°-Mnの研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-6 酸素処理によるタングステン針からの低バイアス電子放出(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYB-8 Si(001),Ge(001)表面におけるc(4×2)構造の解析とc(4×2)-p(2×1)相転移の臨界現象(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aYH-6 電子線照射によるSn/Ge(111)-3×3表面構造の変化(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aTE-2 MnSiのSi(111)上でのエピタキシャル成長モードと表面形態(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pXF-8 Cu(001)表面上のMnとBi共吸着構造のLEEDによる解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-139 電界放出電子による表面への電子線照射と散乱パターンの検出(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 29aZF-3 Si(111)-(1×1)-T1 の構造と電子状態
- 28pPSB-30 走査トンネル顕微鏡探針を用いた低速電子回折装置の開発 II
- Si(111)-(7×7)DAS構造成長中のDomain安定化機構 : その場観察I
- 走査トンネル顕微鏡による表面シリサイド形成初期過程の観察:Si(111)7×7上のBa吸着による(3×1)構造
- 19pPSB-36 走査トンネル顕微鏡探針を用いた低速電子回折装置の開発
- Cu(001)表面上のMgとLi共吸着よって協同的に形成する表面構造
- Cu(001)表面上のK原子吸着位置 : p(3x2)-p2mg vs.p(3x2)-p2mm
- Si(111)7×7 表面上のアイランドとステップ終端部の走査トンネル顕微鏡観察
- Si(111)7×7表面上のアイランドとステップ終端部の走査トンネル顕微鏡観察
- Cu(001)表面上のMgとLi共吸着により形成する構造のLEEDによる解析
- 28aXE-4 Cu(001)表面上のMg, Li共吸着構造とNa, Li共吸着構造の比較
- 27aTE-3 X線回折によるMnSi/Si(111)界面構造の研究(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pTD-6 SiON/SiC(0001)表面系における電子状態の理論的解析(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-33 Ge(111)-Sn系における相転移のLEEDによる研究(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aPS-50 Si(001),Ge(001)表面における秩序無秩序相転移の臨界現象 : LEEDによる解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 低温での電子線照射によるSi(001)-c(4×2)構造の変化
- 26pXC-2 低温で起こる電子励起による構造変化とドーパント依存性 : Si(001)-c(4×2)(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- Si(111)-(7×7)DAS構造上のホモエピタキシャル成長過程のSTMによるその場観察 : 成長界面IV
- Si(111)-(7×7)DAS構造の原子レベルでの形成メカニズム : 成長界面IV
- Si(111)7x7DAS構造形成過程のSTMによるその場観察
- 29a-PS-3 Si(111)急冷表面上のDAS構造のサイズ変化 : モンテカルロシミュレーション
- 7a-PS-33 Si(111)急冷表面における7×7構造の成長
- 28a-T-8 Si(111)過冷却表面のDAS成長パターン
- Si(111)7×7構造の相転移のモデル
- 27pY-3 還移金属(001)面上に吸着した単純金属原子単一層の構造 : 正方格子的相
- 24aPS-37 低速電子回折法を用いたSi(111)-(3x1)-Ag構造解析
- 27pY-6 Si(111)上のIn吸着構造の解析
- 24aPS-60 Mo(112)表面上の酸化シリコン構造のLEEDによる解析(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 8p-B-3 Cu(001)-(4x4)-Li表面のSTMによる観察
- 31p-PSB-22 ステップのあるSi(001)表面のc(4×2)ドメイン形成
- 23aT-10 Si(111)7×7上のホモエピタキシャル成長初期過程のSTMによるその場観察(II) : 基板の積層欠陥の解消と二次元核の結晶化
- 24aY-3 Si(111)上のホモエピタキシャル成長初期過程のSTMによるその場観察
- 30p-S-8 Si(111)-(n×n)-DAS構造形成のアトムプロセス
- 28p-Q-13 急冷Si(111)表面の高分解能STM観察
- 温度可変STMで観察したSi(001), Ge(001)表面の動的現象
- 28a-YM-11 STMによるSi(111)-(nxn)-DAS構造形成過程の観察 : DASサイズ変換モデルの確認
- 28a-YM-6 Ge(001)表面におけるSTM像のちらつきと特定原子上での電流の時間変化
- 31p-PSB-25 Ge(001)表面のダイマーのフリップ・フロップ運動のSTMによる観察
- 3a-Q-1 Si(001)2x1表面の低温でのSTM像
- 22pW-8 Cu(001)-(2x1)-Li表面へのNa, K, Csの吸着 : LEEDによる構造解析
- 24aPS-34 Si(111)7×7上のステップとアイランドの終端部のSTM観察
- 24aPS-172 LEEDによるCu(100)上のSb単独吸着構造決定及びSbとMgの共吸着構造(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15pXG-12 低速電子線励起による Si(001)-c(4×2) 構造の無秩序化(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 28pWP-12 低速電子線照射によるSi(001)-c(4×2)表面構造の変化(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 27pPSA-18 Cu(001)-Bi系のLEEDによる構造解析(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 23aYE-2 Cu (001)-Bi, Li 共吸着構造の LEED 解析
- 22pYE-5 Si(001) 表面の低温 LEED による観察
- 28aWD-7 Cu(001) 表面上の Bi と Mg および Bi と Li の共吸着構造の LEED 解析
- 27pY-2 Cu(001)表面上のリチウム吸着層の高被覆率での構造
- 31a-Q-10 再構築化型吸着における吸着位置選択性 : Ag(001)上のNaとKの共吸着
- 金属表面上のアルカリ金属吸着構造
- 再構築化型吸着 -アルカリ吸着金属表面構造を中心にして-
- アルカリ吸着金属表面の構造
- 29p-T-7 Ni(001)上のリチウムおよびナトリウムの吸着構造
- 29p-T-6 Ag(001)-Rb系の複雑な表面構造の決定
- 表面に特有な秩序構造--アルカリ吸着金属表面の場合
- LEEDによる構造解析システム : MacintoshによるI-V曲線測定とテンソルLEED計算
- Ag(001)-Na(K)の複雑な表面構造の決定II
- 26pPSA-26 Ni及びCu上に形成したグラフェンのLEEDによる構造解析(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 6pPSB-37 Si(111)-(3×1)-Ba構造形成初期過程のSTM観察(表面界面結晶成長,領域9)
- 6pPSB-34 LEED,STMとcore-level PESによる(2√2×√2)R45°-Mg,Li構造の形成過程の観察(表面界面結晶成長,領域9)
- 25pYF-4 Cu(001)表面上のBiとK(Cs)共吸着により形成するの(√×√)R26.7°構造の解析(25pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))