Si(111)-(7×7)DAS構造上のホモエピタキシャル成長過程のSTMによるその場観察 : 成長界面IV
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概要
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The (7×7) DAS structure is most stable on clean Si (111) surface. For homoepitaxial growth, the most important process is a cancellation of stacking fault. Using high-temperature STM, we investigated how to form nucleus of 2D island. We found a cluster that has not atomic image during growth. We conclude that this cluster is quasi-liquid droplet for cancellation of large reconstruction.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2000-07-01
著者
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