Si(111)-(7×7)DAS構造成長中のDomain安定化機構 : その場観察I

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概要

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• We analyze the stabilization mechanism in the DAS structure formation on Si(111). A single faulted (F) half of the unit cell of the DAS structure grows into a small DAS domain. Atomic-structure modeling of the formation process of a new F-half implies that a corner-hole shared by two F-halves reduces the number of dangling bonds. We calculated the surface free energy during the 7×7 DAS domain growth. The critical size is in good agreement with our experimental results.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2002-07-01

著者

• 栃原 浩

  九大総理工

• 加藤 友彦

  福岡工大工

• 栃原 浩

  北大触媒セ

• 島田 亙

  産総研

• 島田 亙

  富山大学大学院理工学研究部理学領域

• 島田 亙

  北海道大学 低温科学研究所

• 加藤 友彦

  福工大

• 栃原 浩

  九大

• 島田 亙

  富山大学大学院理工学研究部(理学)

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