栃原 浩 | 北大触媒セ

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概要

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  九大総理工

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  九州大学大学院総合理工学研究院

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  物性研

• 栃原 浩

  九州大学工学部

• 水野 清義

  九大院総理工

• 水野 清義

  北大触媒セ

• 水野 清義

  九大総理工

• 島田 亙

  産総研

• 白澤 徹郎

  東京大学物性研究所

• 島田 亙

  富山大学大学院理工学研究部理学領域

• 田中 悟

  九大院工

• 田中 悟

  九州大学大学院工学研究院

• 白澤 徹郎

  九大総理工

• 東 相吾

  九大総理工

• 加藤 友彦

  福岡工大

• 加藤 友彦

  福岡工大工

• 林 賢二郎

  九大院総理工

• 林 賢二郎

  九大総理工

• 早川 和延

  北海道産業技術振興財団

• 川村 隆明

  山梨大教育

• 早川 和延

  北大触媒セ

• 島田 亙

  極地研

• 栃原 浩

  九大工

• 白澤 徹郎

  東大物性研

• 岩槻 正志

  日本電子

• 島田 亙

  九州大学大学院総合理工学府・物質理工学専攻

• 天草 貴昭

  日本電子(株)

• 岩槻 正志

  日本電子株式会社

• 豊嶋 勇

  北大触媒セ

• 皆川 秀紀

  北大触媒セ

• 吉田 学史

  九大総理工

• 坂本 一之

  千葉大院融合

• 田中 悟

  九大工院

• 中西 繁光

  阪府大総合科

• 坂木 一之

  東北大院理

• Rahman Faridur

  九大総理工

• 中西 繁光

  大阪府立大学

• 中西 繁光

  大阪府立大学総合科学部

• 梅沢 憲司

  大阪府立大学総合科学部

• 佐藤 智重

  日本電子

• 島田 亙

  北海道大学 低温科学研究所

• 島田 瓦

  北大低温研

• 島田 亙

  北大低温研

• 梅沢 憲司

  阪府大総合科

• 内部 真佐志

  福岡工大

• 西郷 穏

  福岡工大

• 佐藤 智重

  日本電子(株)

• 湯村 太洋

  阪府大総合科

• 湯村 太洋

  大阪府立大学総合科学部

• 天草 貴昭

  日本電子

• 末吉 孝

  JEOL

• 門脇 通

  北大触媒セ

• Barbieri A

  LBL

• 辛 埴

  東大物性研

• 木下 豊彦

  JASRI, SPring-8

• 原沢 あゆみ

  東大物性研

• 奥田 太一

  東大物性研

• 柿崎 明人

  東大物性研

• 中辻 寛

  東大物性研

• 小森 文夫

  東大物性研

• 室 隆桂之

  財団法人高輝度光科学研究センター

• 森田 康平

  九大院工

• 高橋 敏男

  東京大学物性研究所

• 小林 英一

  Saga-ls

• 河合 伸

  九大理

• 室隆 桂之

  JASRI

• 森田 康平

  九大総理工

• 原田 慈久

  RIKEN Spring-8

• 高橋 敏男

  東大物性研

• 原田 慈久

  東大院工:東大放射光機構:理研:spring-8

• 村田 好正

  東大物性研

• HORIKAWA Yuka

  RIKEN/SPring-8

• 室隆 佳之

  JASRI

• 水野 清義

  九州大学大学院総合理工学府 物質理工学専攻

• 田中 悟

  九州大学大学院工学研究院 エネルギー量子工学部門

• 今井 彩子

  千葉大院自然

• 角田 治哉

  千葉大院自然

• 馬渡 健児

  東北大院理

• 谷治 光一郎

  東大物性研

• 田中 悟

  北大電子研

• 室 隆桂之

  高輝度光科学研究センター

• 水野 清義

  九州大学総合理工学研究科

• Eriksson P.

  IFM Linkoping Univ.

• Uhrberg R.

  IFM Linkoping Univ.

• 上野 信雄

  千葉大院融合

• 坂本 一之

  千葉大院自然

• 水野 清義

  千葉大院自然

• 上野 信雄

  九大総理工

• 岡田 美智雄

  阪大大理化学

• 木下 豊彦

  Jasri

• 小野田 穣

  九大総理工

• 今泉 幸治

  九大総理工

• Rahman F.H.M.

  九大総理工

• 岩崎 大悟

  九州大学総理工

• 栃原 浩

  九州大学総理工

• 池堂 祐一

  九大総理工

• Kocan Pavel

  九大総理工

• 室 桂隆之

  JASRI SPring-8

• 岡田 美智雄

  東大物性研

• 中山 正敏

  九大理

• Eriksson P.

  Ifm Linkoping Univ.:nims

• 岩崎 大悟

  九大総理工

• 今城 正雄

  北大触媒セ

• 末吉 孝

  日本電子

• 住田 勲勇

  松下技研株式会社

• 伊藤 信

  松下技研

• 田中 英行

  松下技研

• 宇田川 昌治

  松下技研

• Kocan P.

  九大総理工

• 山本 洋

  北大触媒セ

• 谷口 昌宏

  北大理

• 山岸 昭彦

  北大理

• 島田 亙

  北大・低温研

• 栃原 浩

  北大・触媒セ

• 加藤 友彦

  福工大

• 島田 亙

  九大工

• 栃原 浩

  北海道大学大学触媒化学研究センター

• 宇田川 昌治

  松下技研(株)新素材研究所

• 中村 美道

  東京大学大学院工学系研究科

• 木下 哲博

  九大総理工

• 島田 亙

  富山大学大学院理工学研究部(理学)

• 生川 葉子

  阪府大総合科

• 佐藤 智重

  JEOL

• 岩槻 正志

  JEOL

• 住田 勳勇

  松下技研

• 田中 英行

  松下技研株式会社

• Mizokawa T

  Univ. Tokyo Tokyo

• 木下 豊彦

  高輝度光科学研究センター

• 中村 美道

  九大理

• 天草 貴昭

  JEOL

• 蒋 紅

  北大触媒セ

• 東 相吾

  九大院総理工

• 大島 誠史

  九大院総理工

• 白澤 徹郎

  九大院総理工

• 栃原 浩

  九大院総理工

• Hove M.a.van

  Lbl

• Van Hove

  Lbl

• A Pomprasit

  北大触媒セ

• 門脇 逓

  北大触媒セ

• 住田 勲勇

  松下技研 (株)

• Echeverria G.a.

  北大触媒せ

• 室 隆桂之

  Jasri/spring-8

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著作論文

• 22pPSA-8 軟X線吸収・発光分光法によるSiON/SiC(0001)のバンドオフセット構造の研究(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 微傾斜SiC(0001)表面上の酸窒化シリコン薄膜の作製と低速電子回折による構造解析
• 22pPSA-101 微傾斜SiC(0001)表面上に形成する周期的ナノファセット構造(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSA-19 SiC(0001)上にエピタキシャル成長したSiON超薄膜の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pTG-11 SiC(0001)上にエピタキシャル成長した秩序SiON超薄膜(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-25 SiC(0001)上の不活性超薄膜のLEED/STMによる構造解析(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 18pTG-3 光電子分光によるTl/Si(111)-(1×1)(√3×√3)転移の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24pPSA-18 タングステン針先構造の電界イオン顕微鏡と電流-電圧特性による評価(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24pPSA-19 電界放出電子を用いた低速電子回折装置の開発(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 新結晶・新物質 SiC上の結晶化SiON超薄膜
• 22pPSA-91 Cu(001)表面へのCa吸着により形成する(4×4)構造のLEEDによる決定(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pXJ-7 LEED,STM,ARPESによるSi(111)-√×√R30°-Mnの研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-6 酸素処理によるタングステン針からの低バイアス電子放出(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aYB-8 Si(001),Ge(001)表面におけるc(4×2)構造の解析とc(4×2)-p(2×1)相転移の臨界現象(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28p-WB-6 Si(111)7x7 表面でのホモエピタキシャル成長中のRHEED強度振動の初期異常の原因の考察
• 30a-ZF-3 Si(111)7x7表面におけるステップの再構造化とステップ成長
• 1p-TA-11 K/Si(001)吸着系の構造と物性
• 27aTE-2 MnSiのSi(111)上でのエピタキシャル成長モードと表面形態(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 31p-PSB-24 Si(111)7×7単位格子形成課程のSTM観察
• 21pXF-8 Cu(001)表面上のMnとBi共吸着構造のLEEDによる解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 14a-DH-2 Si(111)7x7上のホモエピタキシャル成長 : ステップの種類毎の成長モデル
• 28aB11 Si(111)7×7表面上でのステップ成長様式(基礎V)
• 25a-Y-5 Si/Si(111)7x7 : ステップおよびテラス成長初期のSTM像の考察
• Si(111)-(7×7)DAS構造成長中のDomain安定化機構 : その場観察I
• 21aPS-50 Si(001),Ge(001)表面における秩序無秩序相転移の臨界現象 : LEEDによる解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pXC-2 低温で起こる電子励起による構造変化とドーパント依存性 : Si(001)-c(4×2)(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 2p-T-1 Ag(001)上のアルカリ金属吸着 : 温度による違い
• Si(111)-(7×7)DAS構造上のホモエピタキシャル成長過程のSTMによるその場観察 : 成長界面IV
• Si(111)-(7×7)DAS構造の原子レベルでの形成メカニズム : 成長界面IV
• Si(111)7x7DAS構造形成過程のSTMによるその場観察
• 29a-PS-3 Si(111)急冷表面上のDAS構造のサイズ変化 : モンテカルロシミュレーション
• 7a-PS-33 Si(111)急冷表面における7×7構造の成長
• 28a-T-8 Si(111)過冷却表面のDAS成長パターン
• Si(111)7×7構造の相転移のモデル
• Si(111)7×7上のステップ成長の微視的機構
• 24aPS-60 Mo(112)表面上の酸化シリコン構造のLEEDによる解析(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29p-S-8 Cu単結晶表面上におけるLi原子の吸着構造
• 13a-PS-36 LEED・AESによるLi/Cu(110)の吸着構造
• 31p-PSB-22 ステップのあるSi(001)表面のc(4×2)ドメイン形成
• 31p-PSB-25 Ge(001)表面のダイマーのフリップ・フロップ運動のSTMによる観察
• 3a-Q-1 Si(001)2x1表面の低温でのSTM像
• 24aPS-172 LEEDによるCu(100)上のSb単独吸着構造決定及びSbとMgの共吸着構造(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 27a-E-7 Cu/p4g(2x2)C/Ni(001)の安定性とカーボンの表面偏析
• 27a-R-9 Cu(001)上でのLiとH_2Oとの相互作用 : 被覆率による反応性の違い
• 2a-E-6 金属表面上でのアルカリ原子と簡単な分子との相互作用
• 3a-J-1 銅(基板金属)-リチウム(吸着金属)系の複雑な表面秩序構造決定の完了
• 29p-S-9 銅(基板金属)-リチウム(吸着金属)系の作る複雑な表面秩序構造の決定
• 3a-J-3 Ni(001)上にエピタキシャル成長させた銅単原子層の上へのリチウム吸着
• 3a-J-2 Ag(001)-Na(K)の複雑な表面構造の決定
• 5a-Q-6 Li/Cu(111)系での表面合金形成
• 12p-DJ-5 アルカリ金属上のアルカリ金属吸着II : LiとNaの場合
• 27a-E-11 Li/Cu(001)系の表面構造
• 12p-DJ-4 アルカリ金属上のアルカリ金属吸着I : KとLiの場合
• 1p-G-5 Li/Cu(001)系のLEEDによる表面構造決定II
• 28a-Z-5 Li/Cu(001)系のLEEDによる表面構造決定 I
• 1p-G-6 Li/Cu(001)系のARUPS : タム型表面準位
• 28a-Z-6 Cu(001)上のLiの成長過程 : 置換吸着とそれに続く表面合金形成

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