中村 美道 | 東京大学大学院工学系研究科
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概要
関連著者
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中村 美道
東京大学大学院工学系研究科
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河合 伸
九大理
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中山 正敏
九大理
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中村 美道
九大VBL
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中村 美道
九大理
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中山 正敏
九州大学理学部
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中村 美道
九州大学ベンチャービジネスラボラトリー
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河合 伸
九州大学理学部物理学科
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塚田 捷
東京大学理学部物理学科
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栃原 浩
九大総理工
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栃原 浩
北大触媒研
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栃原 浩
北大触媒セ
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吉本 芳英
東大物性研
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中山 正敏
九大教養
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佐藤 智重
日本電子
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岩槻 正志
日本電子
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塚田 捷
東大理
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塚田 捷
東北大学原子分子材料科学高等研究機構
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塚田 捷
東京大学理学部
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佐藤 智重
日本電子(株)
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塚田 捷
東大院理
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河合 伸
九大教養
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佐藤 智重
JEOL
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岩槻 正志
JEOL
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天草 貴昭
日本電子(株)
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吉本 芳英
東大理
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河合 伸
九大院理
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嶋 洋亮
九大院理
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中村 美道
CREST
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河合 伸
九州大学大学院理学研究科
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末吉 孝
JEOL
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天草 貴昭
JEOL
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岩槻 正志
日本電子株式会社
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Tsukada Mineharu
Fujitsu Laboratories Inorganic Materials & Polymers Laboratory
著作論文
- 24pPSA-1 Ge(001)表面のダイマー構造の時間分解シミュレーション
- 半導体表面に原子のゆらぎを見る
- 26aPS-27 Ge(001)表面の秩序-無秩序相転移に及ぼす欠陥の影響
- 29a-PS-43 Ge(001)表面のダイマー配列のモンテカルロシミュレーション
- 29a-PS-7 Si(001)表面C型欠陥近傍の時空揺らぎ
- 28a-YM-10 狭いSi(001)S_Bテラスと動的一次元イジングシステムの対応
- 28a-YM-5 Ge(001)表面の秩序・無秩序相転移のモンテカルロシミュレーション
- 27a-PS-13 狭いSi(001)S_Bテラスの擬一次元系時空揺らぎとSTM観測との関係II
- 2p-YD-3 狭いSi(001)S_Bテラス上の擬一次元的時空揺らぎ
- 31a-PS-16 狭いSi(001)S_Bテラスの擬一次元系時空揺らぎとSTM観測との関係
- Si(001),Ge(001)表面構造と時空揺らぎ
- 7a-PS-27 Si(001)表面構造へのテラス幅の影響III
- 29a-PS-5 Si(001)表面構造へのテラス幅の影響II
- 狭いSi(001)S_Bテラスに現われる擬1次元系時空揺らぎ
- 31p-PSB-31 Si(001)表面における相転移-LEEDは何を見ているか
- 31p-PSB-22 ステップのあるSi(001)表面のc(4×2)ドメイン形成
- 欠陥のあるSi(001)面の相転移--LEED,STMは何を見ているか
- Si(001)表面の相転移ー構造秩序化の解析
- 30a-PS-12 Si(001)表面構造へのテラス幅の影響
- 29a-J-4 Si(001)表面構造への欠陥配置の影響
- 28a-WC-7 Si(100)ダイマー配向の多値模型計算