河合 伸 | 九大院理
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概要
関連著者
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河合 伸
九大院理
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河合 伸
九大理
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成清 修
九大理
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成清 修
九大院理
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吉本 芳英
東京大学物性研究所
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物性研
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東北大学原子分子材料科学高等研究機構
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塚田 捷
東京大学理学部
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塚田 捷
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東京大学大学院工学系研究科
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塚田 捷
東京大学理学部物理学科
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嶋 洋亮
九大院理
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中村 美道
CREST
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太田 祐樹
九大院理
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Hossain M.
東大物性研
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Tsukada Mineharu
Fujitsu Laboratories Inorganic Materials & Polymers Laboratory
著作論文
- 24pPSA-1 Ge(001)表面のダイマー構造の時間分解シミュレーション
- 30pYB-8 Ge(001)表面での微分コンダクタンススペクトルに於ける、温度効果の理論的研究(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pXC-1 STM観測下における低温N型基板Si(001)表面のc(4×2)-p(2×2)構造相転移(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 25aXD-8 STM観測下のGe(001)表面ダイマー系構造変換とダイマー系モデルポテンシャル(表面・界面構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15pXG-8 分子吸着による Si(100)c(4×2) 相のピニング (1) : STM(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 28pWP-8 低温Ge(001)表面ダイマー構造におけるTip Proximity Effect(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 28pWP-6 STM観測下でのN型基盤Si(001)表面構造の温度依存性(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 23aYD-4 N-type Si(001) 表面の p(2×2)-c(4×2) 構造相転移
- 22pYE-7 2×1 構造が観測される機構
- 28aZF-3 STM 電流による Si(001) の振動励起
- 28aZF-2 相転移温度付近における Ge(001) 面の構造ゆらぎ
- 28aZF-1 Dynamical Monte Carlo Simulation による 70K における Si(001) 表面のゆらぎ
- 27pYQ-8 Si(001), Ge(001)表面の時間的空間的揺らぎ
- 25aWD-9 Si(001)表面ダイマー系モデルポテンシャル(25aWD 結晶成長,表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長分野))