23aYD-4 N-type Si(001) 表面の p(2×2)-c(4×2) 構造相転移

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2003-08-15

著者

• 河合 伸

  九大理

• 河合 伸

  九大院理

• 成清 修

  九大理

• 成清 修

  九大院理

関連論文

• 31a-X-5 Ce系圧力下超伝導における価数揺動機構
• 20pGL-8 Si(001)表面局在振動の低速電子線による非調和性を通じた励起と構造変換(20pGL 表面ダイナミクス・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pPSA-35 低速電子線による低温Si(001)表面振動励起と回折強度時間依存性(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24pPSA-1 Ge(001)表面のダイマー構造の時間分解シミュレーション
• 半導体表面に原子のゆらぎを見る
• 26aPS-27 Ge(001)表面の秩序-無秩序相転移に及ぼす欠陥の影響
• 29a-PS-43 Ge(001)表面のダイマー配列のモンテカルロシミュレーション
• 29a-PS-7 Si(001)表面C型欠陥近傍の時空揺らぎ
• 28a-YM-10 狭いSi(001)S_Bテラスと動的一次元イジングシステムの対応
• 28a-YM-5 Ge(001)表面の秩序・無秩序相転移のモンテカルロシミュレーション
• 27a-PS-13 狭いSi(001)S_Bテラスの擬一次元系時空揺らぎとSTM観測との関係II
• 2p-YD-3 狭いSi(001)S_Bテラス上の擬一次元的時空揺らぎ
• 31a-PS-16 狭いSi(001)S_Bテラスの擬一次元系時空揺らぎとSTM観測との関係
• 7a-PS-27 Si(001)表面構造へのテラス幅の影響III
• 29a-PS-5 Si(001)表面構造へのテラス幅の影響II
• 31p-PSB-31 Si(001)表面における相転移-LEEDは何を見ているか
• 31p-PSB-22 ステップのあるSi(001)表面のc(4×2)ドメイン形成
• 30a-PS-12 Si(001)表面構造へのテラス幅の影響
• 29a-J-4 Si(001)表面構造への欠陥配置の影響
• 28a-PS-5 強相関系電子系に対する局在的自由度と遍歴的自由度の共存の可能性
• アンダーソンモデルに対するduality pictureの可能性
• 酸化物高温超伝導体のフォノンのTc以上での異常について
• 29pPSB-24 電子励起されたSi(001)表面ダイマー系局在振動のFlipping運動への転換(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aPS-50 低速電子線によるSi(001)表面ダイマー系の振動励起(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 19pWH-7 Theoretical Study of Dynamical Structure Transformation on Semiconductor Surface Excited by Tunneling Electrons(Atom Dynamics and Formation of Nano-objects by Electronic Excitations)
• 26pYC-7 大電流観測下でのGe(001)表面ダイマー系実効温度(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30pYB-8 Ge(001)表面での微分コンダクタンススペクトルに於ける、温度効果の理論的研究(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pXC-1 STM観測下における低温N型基板Si(001)表面のc(4×2)-p(2×2)構造相転移(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 25aXD-8 STM観測下のGe(001)表面ダイマー系構造変換とダイマー系モデルポテンシャル(表面・界面構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15pXG-8 分子吸着による Si(100)c(4×2) 相のピニング (1) : STM(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 28pWP-8 低温Ge(001)表面ダイマー構造におけるTip Proximity Effect(表面界面構造(半導体))(領域9)
• 28pWP-6 STM観測下でのN型基盤Si(001)表面構造の温度依存性(表面界面構造(半導体))(領域9)
• 23aYD-4 N-type Si(001) 表面の p(2×2)-c(4×2) 構造相転移
• 22pYE-7 2×1 構造が観測される機構
• 28aZF-3 STM 電流による Si(001) の振動励起
• 28aZF-2 相転移温度付近における Ge(001) 面の構造ゆらぎ
• 28aZF-1 Dynamical Monte Carlo Simulation による 70K における Si(001) 表面のゆらぎ
• 27pYQ-8 Si(001), Ge(001)表面の時間的空間的揺らぎ
• 31a-X-3 重い電子系の量子臨界点近傍における非フェルミ液体的性質
• 31a-G-11 銅酸化物におけるKohler則の破れ
• 3p-YJ-5 ネストした2次元スピンゆらぎと銅酸化物導体の異常
• 2p-Y-7 スピンゆらぎによる異常な電荷応答
• 4p-N-6 銅酸化物のスピンゆらぎとNMRの理論
• 28a-YH-7 銅酸化物に対するネストした2次元スピンゆらぎの理論
• 28a-YH-6 d_ペアの安定性 : U_と酸素間ホッピングt_pの効果
• 12p-PSA-1 スピンギャップから見た超伝導の対称性: d_xyペアの可能性
• 25aPS-144 磁場下に於けるCeCoIn_5の熱電能係数への超伝導ゆらぎの影響(25aPS 領域8ポスターセッション(磁性(f電子系)1),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 12a-E-2 電荷揺らぎによるd_xyペアの形成 : U_dpの効果
• 30a-S-11 マルチチャネル擬スピン近藤効果への伝導電子間斥力の効果
• 25aWD-9 Si(001)表面ダイマー系モデルポテンシャル(25aWD 結晶成長,表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク