岩槻 正志 | 日本電子株式会社
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概要
関連著者
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岩槻 正志
日本電子
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岩槻 正志
日本電子株式会社
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栃原 浩
九大総理工
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栃原 浩
北大触媒研
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佐藤 智重
日本電子
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佐藤 智重
日本電子(株)
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北村 真一
日本電子株式会社
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島田 亙
産総研
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島田 亙
富山大学大学院理工学研究部理学領域
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鈴木 克之
日本電子株式会社
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島田 亙
九大総理工
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栃原 浩
北大触媒セ
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天草 貴昭
日本電子(株)
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池田 淳子
九州大学大学院総合理工学府・物質理工学専攻
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天草 貴昭
日本電子
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末吉 孝
JEOL
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池田 淳子
九大総理工
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鈴木 克之
日本電子(株)
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栃原 浩
九州大学大学院総合理工学研究院
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河合 伸
九大理
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水野 清義
北大触媒セ
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安田 安生
静岡大学電子工学研究所
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福田 安生
静岡大学電子工学研究所
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福田 安生
静岡大学電子科学研究科
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栃原 浩
物性研
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福田 安生
日本鋼管(株)中央研究所
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中山 正敏
九大理
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北村 真一
日本電子
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末吉 孝
日本電子
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岩槻 正志
日本電子(株)
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中村 美道
東京大学大学院工学系研究科
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中本 圭一
日本電子株式会社
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佐藤 智重
JEOL
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岩槻 正志
JEOL
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中村 美道
九大理
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天草 貴昭
JEOL
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佐藤 智重
日本電子株式会社
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北村 真一
日本電子(株)
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福田 安生
静岡大 電子工研
著作論文
- 31p-PSB-22 ステップのあるSi(001)表面のc(4×2)ドメイン形成
- 23aT-10 Si(111)7×7上のホモエピタキシャル成長初期過程のSTMによるその場観察(II) : 基板の積層欠陥の解消と二次元核の結晶化
- 24aY-3 Si(111)上のホモエピタキシャル成長初期過程のSTMによるその場観察
- 30p-S-8 Si(111)-(n×n)-DAS構造形成のアトムプロセス
- 28p-Q-13 急冷Si(111)表面の高分解能STM観察
- 28a-YM-11 STMによるSi(111)-(nxn)-DAS構造形成過程の観察 : DASサイズ変換モデルの確認
- 28a-YM-6 Ge(001)表面におけるSTM像のちらつきと特定原子上での電流の時間変化
- 31p-PSB-25 Ge(001)表面のダイマーのフリップ・フロップ運動のSTMによる観察
- 3a-Q-1 Si(001)2x1表面の低温でのSTM像
- 超高真空走査ケルビンプローブ顕微鏡による原子レベルの電位像観察
- 原子分解能SKPMによる半導体材料科学への応用法
- 超高真空 SPM による原子レベルの電位像観察
- 低温UHV-AFM/STMの開発
- SPMで観察する極微の世界
- 温度可変機能を付加した環境制御SPM
- 試料バイアス電圧のUHV NC-AFM観察に及ぼす影響
- 表面と観察装置
- 第29回表面科学研究会-SPM技術の最新の展開-