超高真空 SPM による原子レベルの電位像観察
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本表面科学会の論文
- 2001-05-10
著者
関連論文
- 26a-Y-2 Si(001)表面上ダイマー欠陥のダイナミックス
- 12a-DK-4 Si(100)表面欠陥の高温STM観察
- 13a-Y-9 Si(100)固相エピタキシ過程のSTM観察
- 29p-PSB-10 Si(100)上のTi薄膜の初期成長形態
- 超高真空ノンコンタクト原子間力顕微鏡の開発とその応用
- 25p-Y-2 Si(111)√×√-Ag 表面における√×√(Au, Ag)構造の揺動
- 30a-ZF-4 Si(111)表面上のステップ間相互作用の実時間観察
- 29p-BPS-39 Si(111)原子ステップ移動の実時間STM
- 29p-BPS-38 高温STMによるSi(111)傾斜表面上の再配列構造の観察
- 27p-E-5 STMによるSi(111)傾斜表面上での相転移観察
- 27p-E-4 Si(111):1x1-7x7相転移の実時間STM
- 15a-DH-12 シリコン上へのAlの整合吸着相のSTM観察
- 25p-Y-8 STMによるAl/Si(111)超構造の観察 (II)
- 25p-Y-7 STMによるAl/Si(111)超構造の観察 (I)
- 31a-PS-36 双探計STMの開発
- 24aY-8 低温STMによるSi(001)上に吸着されたXe原子の観察
- 低温STMの開発
- 1a-H-10 Si(111)表面における水素脱離 : STM実時間観察
- 25a-Y-11 Si(111)表面の水素脱離過程 : 中間温度域の√×√-R30
- 31p-PSB-22 ステップのあるSi(001)表面のc(4×2)ドメイン形成
- 23aT-10 Si(111)7×7上のホモエピタキシャル成長初期過程のSTMによるその場観察(II) : 基板の積層欠陥の解消と二次元核の結晶化
- 24aY-3 Si(111)上のホモエピタキシャル成長初期過程のSTMによるその場観察
- 30p-S-8 Si(111)-(n×n)-DAS構造形成のアトムプロセス
- 28p-Q-13 急冷Si(111)表面の高分解能STM観察
- 温度可変STMで観察したSi(001), Ge(001)表面の動的現象
- 28a-YM-11 STMによるSi(111)-(nxn)-DAS構造形成過程の観察 : DASサイズ変換モデルの確認
- 28a-YM-6 Ge(001)表面におけるSTM像のちらつきと特定原子上での電流の時間変化
- 31p-PSB-25 Ge(001)表面のダイマーのフリップ・フロップ運動のSTMによる観察
- 3a-Q-1 Si(001)2x1表面の低温でのSTM像
- SPMによる表面の計測と加工
- 超高真空走査ケルビンプローブ顕微鏡による原子レベルの電位像観察
- 原子分解能SKPMによる半導体材料科学への応用法
- 超高真空 SPM による原子レベルの電位像観察
- 低温UHV-AFM/STMの開発
- SPMで観察する極微の世界
- 温度可変機能を付加した環境制御SPM
- 試料バイアス電圧のUHV NC-AFM観察に及ぼす影響
- 高温走査型トンネル顕微鏡 (HT-STM) によるSi 表面の実時間観察
- 28aXE-10 Si(100)(2×1)における1, 4-シクロヘキサジエン吸着状態の被覆量依存性
- 28p-PSB-22 Si(5 5 12)面のSTM観察
- 28p-WB-4 Si(111)-In 吸着・脱離過程の高温STM観察
- 表面のナノオーダ観察・分析
- 温度可変超高真空STM
- 走査型トンネル顕微鏡 (微細計測技術--マイクロ記録への可能性発見(Imaging Today))
- 表面の原子の動きを監察する - 高温STM -
- 表面と観察装置
- 第29回表面科学研究会-SPM技術の最新の展開-
- 5p-L-8 30Åの微小領域での制限視野回折
- 2.2 Si表面の再配列構造生成
- 1 STM 加工(生産技術のニューウェーブ《マイクロ加工》)
- 超高真空STMによる描画技術の可能性 (STMはどこまで進化するか)
- タイトル無し