25a-Y-11 Si(111)表面の水素脱離過程 : 中間温度域の√<3>×√<3>-R30
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 1992-09-14
著者
-
三木 一司
電総研
-
三木 一司
電子技術総合研究所
-
徳本 洋志
電総研
-
佐藤 智重
日本電子
-
末吉 孝
日本電子
-
岩槻 正志
日本電子
-
徳本 洋志
アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所
-
森田 行則
電総研
-
森田 行則
アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所
-
徳本 洋志
アトムテクノロジー研究体
-
末吉 孝
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