走査型トンネル顕微鏡の探針微動機構(<特集>固体アクチュエータ)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人精密工学会の論文
- 1987-05-05
著者
-
水谷 亘
JRCAT-NAIR
-
徳本 洋志
電総研
-
徳本 洋志
電子技術総合研究所
-
岡野 真
電子技術総合研究所
-
小野 雅敏
電子技術総合研究所
-
梶村 皓二
電子技術総合研究所
-
水谷 亘
電子技術総合研究所
-
岡山 重夫
電子技術総合研究所
-
梶村 皓二
筑波大物質工:電総研
-
岡山 重夫
工業技術院電子技術総合研究所
-
小野 雅敏
電子技術総合研究所極限技術部
-
坂井 文樹
セイコー電子工業(株)
-
岡野 真
電総研
-
脇山 茂
セイコー電子工業
-
板東 寛
電子技術総合研究所
-
坂井 文樹
セイコー電子工業
-
脇山 茂
セイコー電子工業(株)科学機器事業部技術ー部技術 2g
関連論文
- 1p-M-5 STMによる原子スケール塑性現象 : ステップ形成のメカニズム
- 14a-W-2 Bi-2223薄膜の変調構造
- 26a-Y-2 Si(001)表面上ダイマー欠陥のダイナミックス
- 6a-T-10 有機物質のSTM測定(IV)
- 3a-W-9 リボソーム膜レプリカ微細構造のSTM観察像
- 3a-B4-10 有機物質のSTM測定(III)
- 3a-B4-2 トンネル顕微鏡用探針
- 4a-M-11 STMによる有機超伝導体の観察IV
- 5p-ZB-15 低温STMによる単結晶酸化物超伝導体のトンネル分光
- STM/STSにおける画像処理
- 3a-B4-9 STM/STSによる4Hb-TaS2とGICの電子状態解析
- 24p-M-5 GaAs中に埋め込まれたSi超薄膜のラマン散乱
- 3a-B4-5 UHV-STMによるSi表面の観察(III)
- 5p-S4-15 STMによる有機超伝導体の観察II
- 6p-A2-5 三重障壁ダイオードの2つの量子井戸間の電子トンネリングに対する垂直磁場の効果
- 6p-A2-4 三重障壁ダイ・オードの2つの量子井戸間の電子トンネリングに対する平行磁場の効果
- C-11 走査型トンネル顕微鏡用圧電セラミックス微動機構(圧電材料・振動子)
- 電界イオン顕微鏡を装備した超高真空走査型トンネル顕微鏡の試作とSi(001)表面へのAl吸着初期過程の観察
- 4F202 STMによる液晶観察
- 24a-PS-22 有機物質のSTM測定(VII)
- 5a-PS-8 有機物質のSTM測定(VI)
- 2a-T-9 有機物質のSTM測定 (IV)
- STMによる有機物の研究
- 5a-ZA-12 Bi_2Sr_2CaCu_2O_8におけるBiO面のSTM/TS測定
- STM開発の展望(STM開発の現状と展望)
- 27a-P-10 有機物質のSTM測定(1)
- 27a-P-8 "4Hb-TaS_2のCDW'SにおけるSTM像の電圧依存性"
- 27a-P-7 UHV-STMによるSi清浄表面の観察
- 走査型トンネル顕微鏡の探針微動機構(固体アクチュエータ)
- STM による有機薄膜のバリアハイト測定
- 29p-R-6 分子単層膜の面内電子伝導
- STMによる有機薄膜の観察 (有機薄膜の新しい配向性評価法(技術ノ-ト))
- 化合物半導体表面研究用UHV-STM装置の開発
- 原子間力顕微鏡を用いたけい酸エステルとオゾンの科学気相堆積プロセスの分析
- 28a-R-11 STS/STMによる超伝導エネルギーギャップ分布の測定
- 27a-P-9 STS/STMによる層状物質の局所状態密度関数の測定
- 28a-D-4 STMによる2Ha-NbSe_2の原子像観察
- 6a-T-4 Si(111)劈開面のSTM観察
- 走査型トンネル顕微鏡による原子像と電子状態
- 28a-D-3 原子像観察のためのSTM装置
- 27a-HF-6 有機超伝導体 (TMTSF)_2ClO_4の臨界磁場Hc_2の冷却速度依存性
- 28p-A-1 AlGaAs/GaAs三重障壁構造の共鳴トンネル効果
- 30a-ZF-4 Si(111)表面上のステップ間相互作用の実時間観察
- 29p-BPS-39 Si(111)原子ステップ移動の実時間STM
- 29p-BPS-38 高温STMによるSi(111)傾斜表面上の再配列構造の観察
- 27p-E-5 STMによるSi(111)傾斜表面上での相転移観察
- 27p-E-4 Si(111):1x1-7x7相転移の実時間STM
- 2a-D-6 GaAs/(AlAs)_n/GaAs単一量子壁のラマン散乱
- 4F203 理論化学計算による液晶STM像の解析
- 2B17 STMによる固体表面上の液晶分子配向の観察
- 3a-F-17 GaAs:Si/AlAs超格子の磁気抵抗
- 1a-LD-9 GaAs:Cr における超音波緩和吸収
- 2a-T-8 Si(111)劈開面のSTM像と構造モデル
- STMの現状と課題--原子尺度で物質構造を探るSTMの役割 (ナノメ-タの世界)
- Au(111)再配列面上へのCoドット配列の作製と磁性
- Au(111)面上に成長したCo微細構造と磁気光学効果
- 29a-PS-50 Au(111)面上のCoの初期成長過程と磁気光学効果
- P-20 a-Si,a-Si : Hの弾性表面波伝播(ポスター・セッション)
- 1a-H-10 Si(111)表面における水素脱離 : STM実時間観察
- 25a-Y-11 Si(111)表面の水素脱離過程 : 中間温度域の√×√-R30
- 24p-R-2 STMによるSi成長表面の研究
- D-9 光音響分光測定によるGaAs中のCr不純物状態の研究(音波物性II)
- D-4 水晶のブリルアン散乱(音波物性I)
- 30a-C-12 BiUO_4の高温における弾性定数
- 1a-C-4 正方晶系結晶における音速の角度変化
- F-1 高温におけるBiVO_4のブリルアン散乱(一般講演)
- C-4 光音響分光法による有機金属の反射率測定(一般講演)
- III 光音響分光(招待講演)
- 3p-NM-7 PASによる有機金属の反射率測定
- 31p-RC-6 PASにおける界面熱抵抗効果
- マイクロホン検出による半導体の光音響信号
- 3-21 高抵抗GaAsの光音響スペクトル(一般講演)
- 1p-D-4 GaAs:Crにおける室温での光音響分光
- 5a-D-2 GaAs:Crにおける磁気音響吸収
- 4p-U-6 強磁場下のGe:Gaにおける超音波共鳴吸収
- 4p-M-7 GaAs:Crにおける磁気音響吸収
- 12a-F-5 GaAs:Crにおける超音波吸収
- 12a-H-5 p-HgTeの縦磁気音響効果
- 1p-PS-20 a-Si,a-Si:Hにおける弾性表面波伝播
- 2a-J-6 有機超伝導体(TMTSF)_2ClO_4の交流帯磁率
- Si表面のSTMによる観察 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
- 13a-D-9 不純物補償とアンダーソン局在
- ナノテクノロジーの現状と展望
- 産業技術総合研究所におけるナノテク戦略
- SPMによるナノスケール・マニピュレーション (微小物体のマニピュレーション技術)
- セルフアセンブル膜のパターニングと機能評価
- 2p-L-8 a-Si:Hの量子二準位
- 1a-RM-6 アモルファス・シリコン中の量子二準位
- 30p-J-12 BiVO_4の相転移
- 30p-J-11 BiVO_4のソフト音響フォノンの観測
- SC-9-6 STMを用いた機能性分子自己組織化膜(SAM)の局所的電気伝導性測定
- 3p-DS-2 Ge中Gaアクセプタ正孔の緩和時間
- 5p-L-4 ビスマスでの巨大量子振動
- 12p-P-10 ビスマスでの巨大量子振動 : 温度依存性
- 化合物半導体上に形成した自己組織化単分子膜とそのナノ構造
- 金属薄膜、有機単分子膜、高分子表面のナノメートル構造
- 表面科学シリ-ズ-9-STMによる吸着分子の観察
- STM/STSによる吸着物質の測定
- STMによる精密3次元表面計測 (3次元計測技術)
- 3P-YD-3 Au(111)再配列面に形成させたCoドットの磁化過程(3pYD 磁性(薄膜,人工格子),磁性)