徳本 洋志 | 電総研

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• 電総研の論文著者

関連著者

• 徳本 洋志

  電総研

• 梶村 皓二

  電総研

• 徳本 洋志

  電子技術総合研究所

• 石黒 武彦

  電総研

• 徳本 洋志

  Jrcat-nair

• 梶村 皓二

  筑波大物質工:電総研

• 阪東 寛

  電総研

• 阪東 寛

  産総研

• 三木 一司

  電子技術総合研究所

• 水谷 亘

  JRCAT-NAIR

• 三木 一司

  電総研

• 脇山 茂

  セイコー電子工業

• 小野 雅敏

  電総研

• 安西 弘行

  電総研

• 小野 雅敏

  電子技術総合研究所

• 岡野 真

  電総研

• 村田 恵三

  電総研

• 水谷 亘

  電総研

• 小野 雅敏

  電子技術総合研究所極限技術部

• 徳本 洋志

  アトムテクノロジー研究体

• 徳本 圓

  電総研

• 佐藤 智重

  日本電子

• 岩槻 正志

  日本電子

• 小野 雅敏

  電総研極限技術部

• 徳本 洋志

  アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所

• 阪東 寛

  産業技術総合研

• 安西 弘行

  姫路工大理

• 村上 寛

  電総研

• 岡野 真

  電子技術総合研究所

• 鵜木 博海

  電子技術総合研究所

• 森田 行則

  アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所

• 石黒 武彦

  電子技術総合研究所

• 村上 寛

  産総研

• 村上 寛

  電子技術総合研究所

• 渡辺 和俊

  セイコー電子工業

• 梶村 皓二

  電子技術総合研究所

• 岡山 重夫

  電子技術総合研究所

• 岡山 重夫

  工業技術院電子技術総合研究所

• 板東 寛

  電子技術総合研究所

• 森田 行則

  電総研

• 鵜木 博海

  電総研

• 遠藤 和弘

  電総研

• 鈴木 峰晴

  Nttアドバンステクノロジ(株)

• 福田 常男

  NTT通研

• 阪東 寛

  電子技術総合研究所

• 杉原 和佳

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所

• 山崎 聡

  電子技術総合研究所

• 森田 直威

  東レリサーチ

• 坂井 文樹

  セイコー電子工業(株)

• 杉原 和佳

  (株)東芝

• 宇加地 孝志

  電総研

• 斉藤 軍司

  分子研

• 鈴木 峰晴

  NTT通研

• 中川 格

  電総研

• 木下 信盛

  電総研

• 八百 隆文

  電総研

• 酒井 明

  京都大学工学部付属メゾ材料研究センター

• 清水 哲夫

  独立行政法人産業技術総合研究所

• 末吉 孝

  日本電子

• 太田 公廣

  電総研

• 水谷 亘

  電子技術総合研究所

• 水谷 亘

  Jrcat : 融合研 電総研

• 赤間 善昭

  (株)東芝研究開発センターULSI研究所

• 岡山 重夫

  電総研

• 田中 一宜

  アトムテクノロジー研究体-融合研

• 太田 公廣

  電総研デバイス機能研

• 末吉 孝

  JEOL

• 徳本 洋志

  Jrcat

• 岡 邦彦

  電総研

• 斉藤 軍治

  分子研

• 渡辺 真二

  小坂研究所

• 坂本 邦博

  電総研

• 清水 哲夫

  電総研

• 繁野 雅次

  セイコー電子工業(株)

• 梶村 晧二

  電総研

• 八百 隆文

  広島大工

• 黒須 楯生

  東海大

• 本間 芳和

  日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所

• 柏谷 聡

  電総研

• 本間 昭彦

  セイコー電子工業

• 徳本 圓

  電子技術総合研究所

• 谷野 浩史

  電総研

• 天野 茂樹

  東海大工

• 黒須 楯生

  東海大工

• 飯田 昌盛

  東海大工

• 小林 好行

  小坂研究所

• 山崎 修一

  新日鐵第一技研

• 酒井 明

  東芝超LSI研

• 杉原 和佳

  東芝超LSI研

• 御子柴 宣夫

  東北大通研

• 本間 芳和

  東理大

• 日比野 浩樹

  Ntt物性科学基礎研究所

• 日比野 浩樹

  Ntt 物性科学基礎研究所

• 本間 芳和

  Ntt物性科学基礎研究所

• 山崎 聡

  電総研

• 田中 一宜

  電子技術総合研究所

• 小野 祐一

  電総研

• 森田 重雄

  電総研

• 松井 進

  東理大

• 白川 英樹

  内閣府総合科学技術会議

• 石田 敬雄

  JRCAT-NAIR

• 徳本 洋志

  電総研:bedford College

• 鹿児島 誠一

  電総研

• 村田 恵三

  阪市大院理

• 林 豊

  ソニー

• 斉藤 軍治

  物性研

• 白川 英樹

  筑波大物質

• 山崎 聡

  産総研ナノテク部門

• 田中 国義

  (株)東芝研究開発センター

• 田中 国義

  (株)東芝 基礎研

• 松畑 洋文

  電総研

• 三次 和芳

  電総研

• 坂本 統徳

  電総研

• 松浦 彰

  (株)東芝研究開発センター

• 堀池 靖浩

  (株)東芝

• 大串 秀世

  電総研

• 松田 哲朗

  (株)東芝研究開発センターulsi研究所

• 中西 久幸

  東理大理工

• 松井 進

  東理工・理工

• 徳本 洋志

  独立行政法人産業技術総合研究所

• 清水 哲夫

  JRCAT-融合研

• 徳本 洋志

  JRCAT-融合研

• 安藤 淳

  電総研

• 大井 明彦

  JRCAT-ATP

• 森田 行則

  融合研

• 徳本 洋志

  融合研

• 井上 明

  セイコー電子工業(株)

• 中川 善嗣

  東レリサーチ

• 徳本 円

  電総研

• 脇 信也

  電総研

• 秋葉 宇一

  東京工業大学生命理工学部

• 藤平 正道

  東京工業大学大学院生命理工学研究科

• 田中 将元

  新日銭第一技研

• 中静 恒夫

  新日銭第一技研

• 山崎 修一

  新日銭第一技研

• 三次 和芳

  総研

• 堀池 靖浩

  東大院工

• 堀池 靖浩

  東芝超lsi研:現広大工

• 藤掛 秀樹

  東理大理工

• 川浪 仁志

  電総研

• 林 豊

  電総研

• 植 寛素

  電総研

• 藤井 義正

  電総研

• 安西 引行

  電総研

• 梶村 職二

  電総研

• 脇山 茂

  セイコ・電子工業

• 宮田 千加良

  セイコ・電子工業

• 繁野 雅次

  セイコ・電子工業

• 本間 昭彦

  セイコ・電子工業

• 渡辺 和俊

  セイコ・電子工業

• 坂井 文樹

  セイコ・電子工業

• 中川 春樹

  小坂研究所

• 松本 文雄

  小坂研究所

• 光武 邦寛

  (株)東芝研究開発センターULSI研究所

• 庄田 尚弘

  (株)東芝研究開発センターULSI研究所

• 加藤 芳秀

  (株)東芝研究開発センターULSI研究所

• 田中 将元

  新日鐵第一技研

• 中靜 恒夫

  新日鐵第一技研

• 赤間 善昭

  東芝超LSI研

• 豊崎 正男

  (株)東芝研究開発センターULSI研究所

• 塚田 志郎

  (株)東芝研究開発センター

• 白川 英樹

  筑波大学物質工学系

• 佐藤 智重

  日本電子(株)

• 坂東 寛

  電総研

• 山崎 聡

  筑波大学 電子・物理工学専攻

• 松田 彰久

  電子技術総合研究所

• 作道 恒太郎

  電総研

• 松田 彰久

  産業技術総合研究所薄膜シリコン系太陽電池開発研究ラボ

• 田中 一宜

  電総研

• 安藤 和徳

  セイコー電子工業

• 白川 英樹

  筑波大・工

• 鵜木 博海

  産総研

• 御子柴 宣夫

  電総研

• 日比野 浩樹

  NTT研究所

• 鈴木 峰晴

  NTT研究所

• 本間 芳和

  NTT研究所

• 福田 常男

  NTT研究所

• 日比野 浩樹

  NTT通研

• 本間 芳和

  NTT通研

• 佐藤 智重

  JEOL

• 岩槻 正志

  JEOL

• 田中 一宣

  電総研

• 中川 善嗣

  東レリサーチセンター

• 中川 善嗣

  (株)東レリサーチセンター 表面科学研究部

• 藤平 正道

  東工大生命理工

• 安藤 淳

  愛媛大理

• 安西 弘行

  電子技術総合研究所

• 崔 奈美

  JRCAT

• 山崎 聡

  東芝メディカルシステムズ株式会社:jeita超音波専門委員会

• 畔原 宏明

  東工大生命理工

• 作道 恒太郎

  筑波大理工

• 畔原 宏明

  東京工業大学生命理工学部

• 稲葉 律夫

  松下技研

• 大野 公隆

  アトムテクノロジー研究体, オングストロームテクノロジ研究機構

• NAGAHARA Larry

  アトムテクノロジー研究体, オングストロームテクノロジ研究機構

• 果 尚志

  アトムテクノロジー研究体, 産業技術融合領域研究所

• 水谷 亘

  アトムテクノロジー研究体, 産業技術融合領域研究所

• 本松 誠

  JRCAT-ATP

• 大野 公隆

  アトムテクノロジー研究体 オングストロームテクノロジ研究機構

• 井上 明

  セイコー電子工業

もっと見る 閉じる

著作論文

• 1p-M-5 STMによる原子スケール塑性現象 : ステップ形成のメカニズム
• 14a-W-2 Bi-2223薄膜の変調構造
• 26a-Y-2 Si(001)表面上ダイマー欠陥のダイナミックス
• 4a-M-11 STMによる有機超伝導体の観察IV
• 5p-ZB-15 低温STMによる単結晶酸化物超伝導体のトンネル分光
• 3a-B4-9 STM/STSによる4Hb-TaS2とGICの電子状態解析
• 24p-M-5 GaAs中に埋め込まれたSi超薄膜のラマン散乱
• 3a-B4-5 UHV-STMによるSi表面の観察(III)
• 5p-S4-15 STMによる有機超伝導体の観察II
• 6p-A2-5 三重障壁ダイオードの2つの量子井戸間の電子トンネリングに対する垂直磁場の効果
• 6p-A2-4 三重障壁ダイ・オードの2つの量子井戸間の電子トンネリングに対する平行磁場の効果
• C-11 走査型トンネル顕微鏡用圧電セラミックス微動機構(圧電材料・振動子)
• 電界イオン顕微鏡を装備した超高真空走査型トンネル顕微鏡の試作とSi(001)表面へのAl吸着初期過程の観察
• 27a-P-8 "4Hb-TaS_2のCDW'SにおけるSTM像の電圧依存性"
• 27a-P-7 UHV-STMによるSi清浄表面の観察
• 走査型トンネル顕微鏡の探針微動機構(固体アクチュエータ)
• 化合物半導体表面研究用UHV-STM装置の開発
• 原子間力顕微鏡を用いたけい酸エステルとオゾンの科学気相堆積プロセスの分析
• 28a-R-11 STS/STMによる超伝導エネルギーギャップ分布の測定
• 27a-P-9 STS/STMによる層状物質の局所状態密度関数の測定
• 28a-D-4 STMによる2Ha-NbSe_2の原子像観察
• 6a-T-4 Si(111)劈開面のSTM観察
• 走査型トンネル顕微鏡による原子像と電子状態
• 28a-D-3 原子像観察のためのSTM装置
• 27a-HF-6 有機超伝導体 (TMTSF)_2ClO_4の臨界磁場Hc_2の冷却速度依存性
• 28p-A-1 AlGaAs/GaAs三重障壁構造の共鳴トンネル効果
• 30a-ZF-4 Si(111)表面上のステップ間相互作用の実時間観察
• 29p-BPS-39 Si(111)原子ステップ移動の実時間STM
• 29p-BPS-38 高温STMによるSi(111)傾斜表面上の再配列構造の観察
• 27p-E-5 STMによるSi(111)傾斜表面上での相転移観察
• 27p-E-4 Si(111):1x1-7x7相転移の実時間STM
• 2a-D-6 GaAs/(AlAs)_n/GaAs単一量子壁のラマン散乱
• 3a-F-17 GaAs:Si/AlAs超格子の磁気抵抗
• 1a-LD-9 GaAs:Cr における超音波緩和吸収
• 2a-T-8 Si(111)劈開面のSTM像と構造モデル
• P-20 a-Si,a-Si : Hの弾性表面波伝播(ポスター・セッション)
• 1a-H-10 Si(111)表面における水素脱離 : STM実時間観察
• 25a-Y-11 Si(111)表面の水素脱離過程 : 中間温度域の√×√-R30
• 24p-R-2 STMによるSi成長表面の研究
• D-9 光音響分光測定によるGaAs中のCr不純物状態の研究(音波物性II)
• D-4 水晶のブリルアン散乱(音波物性I)
• 30a-C-12 BiUO_4の高温における弾性定数
• 1a-C-4 正方晶系結晶における音速の角度変化
• F-1 高温におけるBiVO_4のブリルアン散乱(一般講演)
• C-4 光音響分光法による有機金属の反射率測定(一般講演)
• III 光音響分光(招待講演)
• 3p-NM-7 PASによる有機金属の反射率測定
• 31p-RC-6 PASにおける界面熱抵抗効果
• マイクロホン検出による半導体の光音響信号
• 3-21 高抵抗GaAsの光音響スペクトル(一般講演)
• 1p-D-4 GaAs:Crにおける室温での光音響分光
• 5a-D-2 GaAs:Crにおける磁気音響吸収
• 4p-U-6 強磁場下のGe:Gaにおける超音波共鳴吸収
• 4p-M-7 GaAs:Crにおける磁気音響吸収
• 12a-F-5 GaAs:Crにおける超音波吸収
• 12a-H-5 p-HgTeの縦磁気音響効果
• 1p-PS-20 a-Si,a-Si:Hにおける弾性表面波伝播
• 2a-J-6 有機超伝導体(TMTSF)_2ClO_4の交流帯磁率
• Si表面のSTMによる観察 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
• 2p-L-8 a-Si:Hの量子二準位
• 1a-RM-6 アモルファス・シリコン中の量子二準位
• 30p-J-12 BiVO_4の相転移
• 30p-J-11 BiVO_4のソフト音響フォノンの観測
• SC-9-6 STMを用いた機能性分子自己組織化膜(SAM)の局所的電気伝導性測定
• 3p-DS-2 Ge中Gaアクセプタ正孔の緩和時間
• 5p-L-4 ビスマスでの巨大量子振動
• 12p-P-10 ビスマスでの巨大量子振動 : 温度依存性
• 化合物半導体上に形成した自己組織化単分子膜とそのナノ構造
• 金属薄膜、有機単分子膜、高分子表面のナノメートル構造
• STMによる半導体表面の研究(STM開発の現状と展望)
• 27a-HF-5 有機導体 (TMTSF)_2ClO_4のSDW相と磁気抵抗
• 27a-HF-4 有機金属 (TMTSF)_2ClO_4のフェルミ面
• 27a-HF-3 (TMTSF)_2ClC_4のSDW相と超伝導相
• 2a-J-2 有機金属(TMTSF)_2ClO_4の横磁気抵抗の量子振動
• STMと表面原子像観察 (キャラクタリゼ-ション技術の新しい展開--ナノ-サブナノ領域材料評価技術)
• 走査型プロ-ブ顕微鏡手法(STMとAFM) (半導体材料/プロセス評価技術--最近のトピックス(技術ノ-ト))
• 14a-U-1 TeO_2の圧力による相転移
• 1P-D-5 N-InSbのmagnetic freeze-outと超音波吸収
• 30a-D-9 Variable range hopping in n-InSb in a magnetic field
• 半導体開発におけるSTM/AFM
• 5p-KL-2 アクセプター不純物による超音波吸収 : 一軸性応力効果
• 23a-G-3 アクセプタ正孔による超音波吸収II : Ge: Ga
• 23a-G-2 アクセプタ・正孔による超音波吸収I : GaP: Zn
• 27p-N-3 Scanning Tunneling Spectroscopy による局所状態密度関数の測定
• 27a-H-1 P・Geにおける超音波ホール・バーニング
• 2a-P-2 P・Ge における超音波ホール・バーニング
• 5a-D-3 Ge中のアクセプター正孔の緩和時間
• 5p-L-5 Biにおける磁気・フォノン散乱
• 5p-L-3 アクセプタ不純物による超音波共鳴吸収の一軸応力依存性
• 5a-KL-5 Ge中の不純物による磁気音響吸収
• 5a-KL-5 Ge中の不純物による磁気音響吸収
• 30a-H-3 STMによる2H-NbSe_2の表面原子像と振幅異常(表面・界面)
• 30a-H-2 半導体表面用UHV-STM(表面・界面)
• 2p-G4-2 STMによる有機超伝導体の観察(分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 31p-F4-13 UHV-STMによるSi表面の観察(II)(表面・界面)
• 31p-D4-6 (BEDT-TTF)_2I_3の圧力効果(31p D4 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
• 29p-TC-8 Si(001)2x1表面のSTM観察(29pTC 表面・界面)
• 30p-CQ-1 GaAs : Si/AlAs超格子のアンダーソン局在(低温)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク