森田 行則 | アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所
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概要
関連著者
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森田 行則
アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所
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徳本 洋志
アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所
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徳本 洋志
アトムテクノロジー研究体
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三木 一司
電子技術総合研究所
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徳本 洋志
Jrcat-nair
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三木 一司
電総研
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徳本 洋志
電総研
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森田 行則
電総研
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佐藤 智重
日本電子
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岩槻 正志
日本電子
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鈴木 峰晴
Nttアドバンステクノロジ(株)
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鈴木 峰晴
NTT通研
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福田 常男
NTT通研
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森田 行則
JRCAT-NAIR
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徳本 洋志
Jrcat
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森田 行則
融合研
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徳本 洋志
融合研
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末吉 孝
日本電子
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徳本 洋志
電子技術総合研究所
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徳本 洋志
産業技術融合領域研究所
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森田 行則
電子技術総合研究所
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末吉 孝
JEOL
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松畑 洋文
電総研
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梶村 皓二
電総研
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坂本 邦博
電総研
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坂本 統徳
電総研
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遠藤 和弘
電総研
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坂本 邦博
電子技術総合研究所
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徳本 洋志
北大電子研
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清水 哲夫
独立行政法人産業技術総合研究所
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安藤 淳
電総研
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清水 哲夫
電総研
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梶村 皓二
筑波大物質工:電総研
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佐藤 智重
日本電子(株)
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中村 雅一
アトムテクノロジー研究体(jrcat)オングストロームテクノロジ研究機構:(現)(株)東レリサーチセンター 表面科学研究部
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坂本 統徳
電子技術総合研究所電子デバイス部
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安藤 淳
愛媛大理
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森田 行則
産業技術融合領域研究所
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蓮沼 隆
JRCAT-ATP
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坂本 統徳
電子技術総合研究所
著作論文
- 14a-W-2 Bi-2223薄膜の変調構造
- 30a-ZF-4 Si(111)表面上のステップ間相互作用の実時間観察
- 29p-BPS-39 Si(111)原子ステップ移動の実時間STM
- 27p-E-4 Si(111):1x1-7x7相転移の実時間STM
- 14p-DH-11 Si(111)-√×√R30°におけるアドアトムの再配列
- 1a-H-10 Si(111)表面における水素脱離 : STM実時間観察
- 30p-H-4 Si(001)3°オフ基板表面のSTM観察
- 25a-Y-11 Si(111)表面の水素脱離過程 : 中間温度域の√×√-R30
- 30a-ZF-5 Si(111)表面上のSiH_3の局所構造
- 30p-BPS-4 HF処理Si(111):SiH_3相のSTM
- 24p-R-2 STMによるSi成長表面の研究
- HF処理Si表面の観察 (走査プロ-ブ顕微鏡の最前線)
- 超高真空走査トンネル顕微鏡による水素終端シリコン表面の観察
- 25aWB-2 UHV-STMを用いたSi(111)-3/4×3/4:N(quadruplet)表面の構造解析
- 22pT-6 UHV-STMを用いたSi(111)-8x8:N表面の構造解析
- 水素終端シリコン表面の形成
- 2p-YD-13 STMを用いたSi(111)-1×1:Hからの水素脱離II
- 溶液処理を用いたシリコン(001)表面の平坦化
- 5a-B-9 STMを用いたSi(111)-1x1:Hからの水素脱離
- STMで見た単結晶Si表面のH原子パッシベーション構造
- 水素終端Si(111)上における銅フタロシアニン分子配列のSPM観察
- HF変性Si表面
- 25a-YM-11 STMを用いたSi(111)-1×1:Hからの水素脱離III