水素終端シリコン表面の形成
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本表面科学会の論文
- 1999-10-10
著者
関連論文
- 小型走査電子顕微鏡用カーボンナノチューブ電子銃の安定性評価
- 走査プローブ顕微鏡による表面原子・分子化学分析
- 原子操作と識別技術
- 探針に吸着させた原子種の同定
- 25p-YM-3 原子操作によりSiを捕獲したSTM探針のFIM観察
- 6p-B-12 原子操作によるタングステンシリサイド形成
- 30p-E-10 Asを高ドープしたSi(001)の表面構造
- タングステン上の重水素の吸着
- 1p-M-5 STMによる原子スケール塑性現象 : ステップ形成のメカニズム
- 14a-W-2 Bi-2223薄膜の変調構造
- 26a-Y-2 Si(001)表面上ダイマー欠陥のダイナミックス
- 4a-M-11 STMによる有機超伝導体の観察IV
- 5p-ZB-15 低温STMによる単結晶酸化物超伝導体のトンネル分光
- 3a-B4-9 STM/STSによる4Hb-TaS2とGICの電子状態解析
- 24p-M-5 GaAs中に埋め込まれたSi超薄膜のラマン散乱
- 3a-B4-5 UHV-STMによるSi表面の観察(III)
- 5p-S4-15 STMによる有機超伝導体の観察II
- 6p-A2-5 三重障壁ダイオードの2つの量子井戸間の電子トンネリングに対する垂直磁場の効果
- 6p-A2-4 三重障壁ダイ・オードの2つの量子井戸間の電子トンネリングに対する平行磁場の効果
- C-11 走査型トンネル顕微鏡用圧電セラミックス微動機構(圧電材料・振動子)
- 電界イオン顕微鏡を装備した超高真空走査型トンネル顕微鏡の試作とSi(001)表面へのAl吸着初期過程の観察
- 化合物半導体表面研究用UHV-STM装置の開発
- 原子間力顕微鏡を用いたけい酸エステルとオゾンの科学気相堆積プロセスの分析
- 半導体デバイス解析用局所プラズマ加工装置の開発
- 6a-T-4 Si(111)劈開面のSTM観察
- 30a-ZF-4 Si(111)表面上のステップ間相互作用の実時間観察
- 29p-BPS-39 Si(111)原子ステップ移動の実時間STM
- 29p-BPS-38 高温STMによるSi(111)傾斜表面上の再配列構造の観察
- 27p-E-5 STMによるSi(111)傾斜表面上での相転移観察
- 27p-E-4 Si(111):1x1-7x7相転移の実時間STM
- 2a-D-6 GaAs/(AlAs)_n/GaAs単一量子壁のラマン散乱
- 2a-T-8 Si(111)劈開面のSTM像と構造モデル
- 24aY-8 低温STMによるSi(001)上に吸着されたXe原子の観察
- 低温STMの開発
- 14p-DH-11 Si(111)-√×√R30°におけるアドアトムの再配列
- 走査型トンネル顕微鏡によるシリコン表面の動的観察
- STMによるSi(111) : (1×1)-(7×7)構造相転移の研究
- 1a-H-10 Si(111)表面における水素脱離 : STM実時間観察
- 30p-H-4 Si(001)3°オフ基板表面のSTM観察
- 25a-Y-11 Si(111)表面の水素脱離過程 : 中間温度域の√×√-R30
- 30a-ZF-5 Si(111)表面上のSiH_3の局所構造
- 30p-BPS-4 HF処理Si(111):SiH_3相のSTM
- 24p-R-4 Si(111)表面の[112]ステップ形成機構
- 24p-R-2 STMによるSi成長表面の研究
- HF処理Si表面の観察 (走査プロ-ブ顕微鏡の最前線)
- 6a-T-3 Si(111)表面のテラス・原子ステップ挙動のSTM観察
- 超高真空走査トンネル顕微鏡による水素終端シリコン表面の観察
- 25aWB-2 UHV-STMを用いたSi(111)-3/4×3/4:N(quadruplet)表面の構造解析
- 22pT-6 UHV-STMを用いたSi(111)-8x8:N表面の構造解析
- 水素終端シリコン表面の形成
- 2p-YD-13 STMを用いたSi(111)-1×1:Hからの水素脱離II
- 溶液処理を用いたシリコン(001)表面の平坦化
- 水素終端Si (001) 基板上での銅フタロシアニン配向制御
- 5a-B-9 STMを用いたSi(111)-1x1:Hからの水素脱離
- STMで見た単結晶Si表面のH原子パッシベーション構造
- 水素終端Si(111)上における銅フタロシアニン分子配列のSPM観察
- HF変性Si表面
- Si表面のSTMによる観察 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
- 23pW-4 走査型アトムプローブによるカーボンナノチューブの原子レベルの解析
- 25a-YM-11 STMを用いたSi(111)-1×1:Hからの水素脱離III
- 30p-N-6 高温STMを用いた表面インデンテーションによるシリコンの細線の作成とその電気伝導評価
- STMによる原子細線加工とその物性
- 1p-YA-5 STMによるシリコン原子のレヤーバイレヤー操作と量子コンダクタンス
- D-4 探針の押し込みによる弾性変形の分子力学シミュレーション(D.超音波基礎・非線形)
- SC-9-6 STMを用いた機能性分子自己組織化膜(SAM)の局所的電気伝導性測定
- 化合物半導体上に形成した自己組織化単分子膜とそのナノ構造
- 金属薄膜、有機単分子膜、高分子表面のナノメートル構造
- STMと表面原子像観察 (キャラクタリゼ-ション技術の新しい展開--ナノ-サブナノ領域材料評価技術)
- 走査型プロ-ブ顕微鏡手法(STMとAFM) (半導体材料/プロセス評価技術--最近のトピックス(技術ノ-ト))
- 極低温STM関連技術と今後の展望
- 表面分析技術としてのSPM技術
- 半導体開発におけるSTM/AFM
- SPMの原理と今後の可能性について : 究極探針と原子・分子識別
- 半導体デバイス解析用局所プラズマ加工装置の開発(4) : プラズマ加工中の温度精密計測
- 半導体デバイス解析用局所プラズマ加工装置の開発(3) : 四重極質量分析による加工モニタリング