電界イオン顕微鏡を装備した超高真空走査型トンネル顕微鏡の試作とSi(001)表面へのAl吸着初期過程の観察
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人精密工学会の論文
- 1994-06-05
著者
-
杉原 和佳
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
-
酒井 明
京都大学工学部付属メゾ材料研究センター
-
徳本 洋志
電総研
-
徳本 洋志
電子技術総合研究所
-
小野 雅敏
電子技術総合研究所
-
徳本 洋志
Jrcat-nair
-
光武 邦寛
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
-
赤間 善昭
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
-
庄田 尚弘
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
-
加藤 芳秀
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
-
杉原 和佳
(株)東芝
-
赤間 善昭
(株)東芝生産技術研究所
-
酒井 明
京都大学工学研究科附属メゾ材料研究センター
関連論文
- 1GビットDRAM用トレンチ・セル技術
- 1p-M-5 STMによる原子スケール塑性現象 : ステップ形成のメカニズム
- 14a-W-2 Bi-2223薄膜の変調構造
- 26a-Y-2 Si(001)表面上ダイマー欠陥のダイナミックス
- 4a-M-11 STMによる有機超伝導体の観察IV
- 5p-ZB-15 低温STMによる単結晶酸化物超伝導体のトンネル分光
- 3a-B4-9 STM/STSによる4Hb-TaS2とGICの電子状態解析
- 24p-M-5 GaAs中に埋め込まれたSi超薄膜のラマン散乱
- 3a-B4-5 UHV-STMによるSi表面の観察(III)
- 5p-S4-15 STMによる有機超伝導体の観察II
- 6p-A2-5 三重障壁ダイオードの2つの量子井戸間の電子トンネリングに対する垂直磁場の効果
- 6p-A2-4 三重障壁ダイ・オードの2つの量子井戸間の電子トンネリングに対する平行磁場の効果
- C-11 走査型トンネル顕微鏡用圧電セラミックス微動機構(圧電材料・振動子)
- 電界イオン顕微鏡を装備した超高真空走査型トンネル顕微鏡の試作とSi(001)表面へのAl吸着初期過程の観察
- 27a-P-8 "4Hb-TaS_2のCDW'SにおけるSTM像の電圧依存性"
- 27a-P-7 UHV-STMによるSi清浄表面の観察
- 走査型トンネル顕微鏡の探針微動機構(固体アクチュエータ)
- 化合物半導体表面研究用UHV-STM装置の開発
- 原子間力顕微鏡を用いたけい酸エステルとオゾンの科学気相堆積プロセスの分析
- 28a-R-11 STS/STMによる超伝導エネルギーギャップ分布の測定
- 27a-P-9 STS/STMによる層状物質の局所状態密度関数の測定
- 28a-D-4 STMによる2Ha-NbSe_2の原子像観察
- 6a-T-4 Si(111)劈開面のSTM観察
- 走査型トンネル顕微鏡による原子像と電子状態
- 28a-D-3 原子像観察のためのSTM装置
- 27a-HF-6 有機超伝導体 (TMTSF)_2ClO_4の臨界磁場Hc_2の冷却速度依存性
- 28p-A-1 AlGaAs/GaAs三重障壁構造の共鳴トンネル効果
- 30a-ZF-4 Si(111)表面上のステップ間相互作用の実時間観察
- 29p-BPS-39 Si(111)原子ステップ移動の実時間STM
- 29p-BPS-38 高温STMによるSi(111)傾斜表面上の再配列構造の観察
- 27p-E-5 STMによるSi(111)傾斜表面上での相転移観察
- 27p-E-4 Si(111):1x1-7x7相転移の実時間STM
- 2a-D-6 GaAs/(AlAs)_n/GaAs単一量子壁のラマン散乱
- 3a-F-17 GaAs:Si/AlAs超格子の磁気抵抗
- 走査トンネル顕微鏡を用いたアルカリ金属吸着Si表面のトンネル障壁の実空間観察
- 電子ビーム堆積を利用したAFM探針の作製とライン・アンド・スペースパターンの観察
- 圧電素子を用いた高精度回転微動機構(第2報) : 信頼性
- 圧電素子を用いた高精度回転微動機構(第1報) : 回転原理と基本特性
- 圧電素子を用いたXYθテーブル
- 1a-LD-9 GaAs:Cr における超音波緩和吸収
- 2a-T-8 Si(111)劈開面のSTM像と構造モデル
- P-20 a-Si,a-Si : Hの弾性表面波伝播(ポスター・セッション)
- 1a-H-10 Si(111)表面における水素脱離 : STM実時間観察
- 25a-Y-11 Si(111)表面の水素脱離過程 : 中間温度域の√×√-R30
- 24p-R-2 STMによるSi成長表面の研究
- D-9 光音響分光測定によるGaAs中のCr不純物状態の研究(音波物性II)
- D-4 水晶のブリルアン散乱(音波物性I)
- 30a-C-12 BiUO_4の高温における弾性定数
- 1a-C-4 正方晶系結晶における音速の角度変化
- F-1 高温におけるBiVO_4のブリルアン散乱(一般講演)
- C-4 光音響分光法による有機金属の反射率測定(一般講演)
- III 光音響分光(招待講演)
- 3p-NM-7 PASによる有機金属の反射率測定
- 31p-RC-6 PASにおける界面熱抵抗効果
- マイクロホン検出による半導体の光音響信号
- 3-21 高抵抗GaAsの光音響スペクトル(一般講演)
- 1p-D-4 GaAs:Crにおける室温での光音響分光
- 5a-D-2 GaAs:Crにおける磁気音響吸収
- 4p-U-6 強磁場下のGe:Gaにおける超音波共鳴吸収
- 4p-M-7 GaAs:Crにおける磁気音響吸収
- 12a-F-5 GaAs:Crにおける超音波吸収
- 12a-H-5 p-HgTeの縦磁気音響効果
- 1p-PS-20 a-Si,a-Si:Hにおける弾性表面波伝播
- 2a-J-6 有機超伝導体(TMTSF)_2ClO_4の交流帯磁率
- Si表面のSTMによる観察 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
- 2p-L-8 a-Si:Hの量子二準位
- 1a-RM-6 アモルファス・シリコン中の量子二準位
- 30p-J-12 BiVO_4の相転移
- 30p-J-11 BiVO_4のソフト音響フォノンの観測
- SC-9-6 STMを用いた機能性分子自己組織化膜(SAM)の局所的電気伝導性測定
- 3p-DS-2 Ge中Gaアクセプタ正孔の緩和時間
- 5p-L-4 ビスマスでの巨大量子振動
- 12p-P-10 ビスマスでの巨大量子振動 : 温度依存性
- 化合物半導体上に形成した自己組織化単分子膜とそのナノ構造
- 金属薄膜、有機単分子膜、高分子表面のナノメートル構造
- STMによる半導体表面の研究(STM開発の現状と展望)
- Ag/Bi2223テープ材における電流密度の不均質分布
- メゾ材料の構造と物性およびその設計
- 27a-HF-5 有機導体 (TMTSF)_2ClO_4のSDW相と磁気抵抗
- 27a-HF-4 有機金属 (TMTSF)_2ClO_4のフェルミ面
- 27a-HF-3 (TMTSF)_2ClC_4のSDW相と超伝導相
- 2a-J-2 有機金属(TMTSF)_2ClO_4の横磁気抵抗の量子振動
- STMと表面原子像観察 (キャラクタリゼ-ション技術の新しい展開--ナノ-サブナノ領域材料評価技術)
- 走査型プロ-ブ顕微鏡手法(STMとAFM) (半導体材料/プロセス評価技術--最近のトピックス(技術ノ-ト))
- サマリー・アブストラクト
- 14a-U-1 TeO_2の圧力による相転移
- 1P-D-5 N-InSbのmagnetic freeze-outと超音波吸収
- 30a-D-9 Variable range hopping in n-InSb in a magnetic field
- 半導体開発におけるSTM/AFM
- 5p-KL-2 アクセプター不純物による超音波吸収 : 一軸性応力効果
- 23a-G-3 アクセプタ正孔による超音波吸収II : Ge: Ga
- 23a-G-2 アクセプタ・正孔による超音波吸収I : GaP: Zn
- 27p-N-3 Scanning Tunneling Spectroscopy による局所状態密度関数の測定
- 27a-H-1 P・Geにおける超音波ホール・バーニング
- 2a-P-2 P・Ge における超音波ホール・バーニング
- 5a-D-3 Ge中のアクセプター正孔の緩和時間
- 5p-L-5 Biにおける磁気・フォノン散乱
- 5p-L-3 アクセプタ不純物による超音波共鳴吸収の一軸応力依存性
- 5a-KL-5 Ge中の不純物による磁気音響吸収
- 31p-F4-13 UHV-STMによるSi表面の観察(II)(表面・界面)