Si表面のSTMによる観察 (超格子素子基礎技術<特集>) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 25a-K-13 Si中のBi細線の電子顕微鏡観察
- 脱離温度近傍で形成されるSi(001)表面上のBiの新構造I
- 脱離温度近傍で形成されるSi(001)表面上のBiの新構造 II
- 23pWB-8 Si(001)表面上のビスマス原子細線の構造 II : 構造の理論的検討と輸送・熱電特性制御への展開
- Si-Ge系多重量子井戸構造薄膜の熱電特性
- 1p-M-5 STMによる原子スケール塑性現象 : ステップ形成のメカニズム
- 14a-W-2 Bi-2223薄膜の変調構造
- 26a-Y-2 Si(001)表面上ダイマー欠陥のダイナミックス
- 4a-M-11 STMによる有機超伝導体の観察IV
- 5p-ZB-15 低温STMによる単結晶酸化物超伝導体のトンネル分光
- 3a-B4-9 STM/STSによる4Hb-TaS2とGICの電子状態解析
- 25pW-1 SI(001)表面上ビスマス細線構造(1) : 構造解析
- 24p-M-5 GaAs中に埋め込まれたSi超薄膜のラマン散乱
- 3a-B4-5 UHV-STMによるSi表面の観察(III)
- 5p-S4-15 STMによる有機超伝導体の観察II
- 6p-A2-5 三重障壁ダイオードの2つの量子井戸間の電子トンネリングに対する垂直磁場の効果
- 6p-A2-4 三重障壁ダイ・オードの2つの量子井戸間の電子トンネリングに対する平行磁場の効果
- C-11 走査型トンネル顕微鏡用圧電セラミックス微動機構(圧電材料・振動子)
- 電界イオン顕微鏡を装備した超高真空走査型トンネル顕微鏡の試作とSi(001)表面へのAl吸着初期過程の観察
- 27a-P-8 "4Hb-TaS_2のCDW'SにおけるSTM像の電圧依存性"
- 27a-P-7 UHV-STMによるSi清浄表面の観察
- 走査型トンネル顕微鏡の探針微動機構(固体アクチュエータ)
- 化合物半導体表面研究用UHV-STM装置の開発
- 原子間力顕微鏡を用いたけい酸エステルとオゾンの科学気相堆積プロセスの分析
- 28a-R-11 STS/STMによる超伝導エネルギーギャップ分布の測定
- 27a-P-9 STS/STMによる層状物質の局所状態密度関数の測定
- 28a-D-4 STMによる2Ha-NbSe_2の原子像観察
- 水素化シリコン系薄膜の成長初期過程-走査トンネル顕微鏡によるナノスケール観察-
- 6a-T-4 Si(111)劈開面のSTM観察
- 走査型トンネル顕微鏡による原子像と電子状態
- 28a-D-3 原子像観察のためのSTM装置
- 27a-HF-6 有機超伝導体 (TMTSF)_2ClO_4の臨界磁場Hc_2の冷却速度依存性
- 23pWB-7 Si(001)表面上のビスマス原子細線の構造 I. : X線定在波法による界面構造解析
- 28p-A-1 AlGaAs/GaAs三重障壁構造の共鳴トンネル効果
- 30a-ZF-4 Si(111)表面上のステップ間相互作用の実時間観察
- 29p-BPS-39 Si(111)原子ステップ移動の実時間STM
- 29p-BPS-38 高温STMによるSi(111)傾斜表面上の再配列構造の観察
- 27p-E-5 STMによるSi(111)傾斜表面上での相転移観察
- 27p-E-4 Si(111):1x1-7x7相転移の実時間STM
- 2a-D-6 GaAs/(AlAs)_n/GaAs単一量子壁のラマン散乱
- 3a-F-17 GaAs:Si/AlAs超格子の磁気抵抗
- 30a-Z-9 Ge/Si歪超格子のエレクトロリフレクタンス
- 1a-LD-9 GaAs:Cr における超音波緩和吸収
- 2a-T-8 Si(111)劈開面のSTM像と構造モデル
- P-20 a-Si,a-Si : Hの弾性表面波伝播(ポスター・セッション)
- 14p-DH-11 Si(111)-√×√R30°におけるアドアトムの再配列
- 走査型トンネル顕微鏡によるシリコン表面の動的観察
- STMによるSi(111) : (1×1)-(7×7)構造相転移の研究
- 1a-H-10 Si(111)表面における水素脱離 : STM実時間観察
- 30p-H-4 Si(001)3°オフ基板表面のSTM観察
- 25a-Y-11 Si(111)表面の水素脱離過程 : 中間温度域の√×√-R30
- 30a-ZF-5 Si(111)表面上のSiH_3の局所構造
- 30p-BPS-4 HF処理Si(111):SiH_3相のSTM
- 24p-R-4 Si(111)表面の[112]ステップ形成機構
- 24p-R-2 STMによるSi成長表面の研究
- HF処理Si表面の観察 (走査プロ-ブ顕微鏡の最前線)
- 6a-T-3 Si(111)表面のテラス・原子ステップ挙動のSTM観察
- D-9 光音響分光測定によるGaAs中のCr不純物状態の研究(音波物性II)
- D-4 水晶のブリルアン散乱(音波物性I)
- 30a-C-12 BiUO_4の高温における弾性定数
- 1a-C-4 正方晶系結晶における音速の角度変化
- F-1 高温におけるBiVO_4のブリルアン散乱(一般講演)
- C-4 光音響分光法による有機金属の反射率測定(一般講演)
- III 光音響分光(招待講演)
- 3p-NM-7 PASによる有機金属の反射率測定
- 31p-RC-6 PASにおける界面熱抵抗効果
- マイクロホン検出による半導体の光音響信号
- 3-21 高抵抗GaAsの光音響スペクトル(一般講演)
- 1p-D-4 GaAs:Crにおける室温での光音響分光
- 5a-D-2 GaAs:Crにおける磁気音響吸収
- 4p-U-6 強磁場下のGe:Gaにおける超音波共鳴吸収
- 4p-M-7 GaAs:Crにおける磁気音響吸収
- 12a-F-5 GaAs:Crにおける超音波吸収
- 12a-H-5 p-HgTeの縦磁気音響効果
- 1p-PS-20 a-Si,a-Si:Hにおける弾性表面波伝播
- 2a-J-6 有機超伝導体(TMTSF)_2ClO_4の交流帯磁率
- Si表面で形成されるBi細線の電子顕微鏡観察
- 25pW-2 Si(001)表面上ビスマス細線構造(2) : 元素置換技術
- 12p-DL-6 Si/Ge/Siヘテロエピタキシャル成長に及ぼすBi, Sbの影響
- 30a-ZB-1 Si/Ge/Si(001)ヘテロ構造に及ぼすsurfactantの効果の電子顕微鏡観察
- Si表面のSTMによる観察 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
- シリコンの位相制御エピタキシ- (超格子素子基礎技術) -- (単原子層精度の結晶成長技術--位相制御エピタキシ-(PLE)法)
- 2p-L-8 a-Si:Hの量子二準位
- 1a-RM-6 アモルファス・シリコン中の量子二準位
- 30p-J-12 BiVO_4の相転移
- 30p-J-11 BiVO_4のソフト音響フォノンの観測
- SC-9-6 STMを用いた機能性分子自己組織化膜(SAM)の局所的電気伝導性測定
- 3p-DS-2 Ge中Gaアクセプタ正孔の緩和時間
- 5p-L-4 ビスマスでの巨大量子振動
- 12p-P-10 ビスマスでの巨大量子振動 : 温度依存性
- 化合物半導体上に形成した自己組織化単分子膜とそのナノ構造
- 金属薄膜、有機単分子膜、高分子表面のナノメートル構造
- STMによる半導体表面の研究(STM開発の現状と展望)
- 27a-S-3 Si(001)off基板の成長メカニズム
- 27a-HF-5 有機導体 (TMTSF)_2ClO_4のSDW相と磁気抵抗
- Ge/Si歪超格子 (超格子素子基礎技術) -- (新超格子材料の開発)
- 3.8 Si (001) 上の単原子層ステップとMBE成長
- Si/Ge歪超格子の微細構造と光学的性質
- タイトル無し
- 29p-TC-10 Si(111)7x7表面への酸素吸着過程のSTM観察(29pTC 表面・界面)