Si/Ge歪超格子の微細構造と光学的性質
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概要
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Microstructures of MBE grown Si<SUB>12</SUB>/Ge<SUB>4</SUB> and Si<SUB>18</SUB>/Ge<SUB>6</SUB> strained-layer superlattice were studied using a transmission electron microscope. The Ge/Si heterointerfaces were observed to be flat and abrupt. Those of Si/Ge were neither flat nor distinct. Dislocations mostly identified as 60 degree type, were observed in the Si substrate near the interface with the strained-layer superlattice. Strain introduced in the preparation of thin-films for electron microscopy was observed. Optical properties of the Si/Ge strained-layer superlattice were discussed on the basis of results of the microstructure study.
- 日本結晶学会の論文
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