表面マイグレーション制御自己停止成長によるAlGaAs/GaAs量子細線の原子層制御作製
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概要
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流量変調エピタキシーを用いた形状基板上へのGaAs成長において、GaAsの成長は特定の成長速度でGa原料の供給量に依存せず、自動的に停止する現象を見いだした。この新しい自己停止成長を利用することによって、パターンのサイズに多少揺らぎが存在した基板上においても、原子レベルで均一な量子細線、量子箱構造の作製が初めて可能となった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-10-09
著者
-
松畑 洋文
電総研
-
松畑 洋文
産業技術総合研究所
-
小倉 睦郎
電総研
-
小倉 睦郎
電子技術総合研究所
-
小倉 睦郎
産業技術総合研究所
-
王 学論
電総研
-
松畑 洋文
電子技術総合研究所
-
王 学論
産業技術総合研究所
-
王 学論
電子技術総合研究所電子デバイス部
-
小倉 睦郎
電子技術総合研究所:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)
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