28aRE-5 放射光を用いたgrazing incidenceトポグラフィーで観察される4H-SiCの転位のコントラスト(28aRE X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2009-03-03

著者

• 山口 博隆

  産総研

• 山口 博隆

  産総研エレクトロニクス

• 松畑 洋文

  産業技術総合研究所

• 松畑 洋文

  産総研

• 山口 博隆

  産業技術総合研究所

• 大野 俊之

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