24aCD-7 ナノワイヤー結晶から成長したGaAs/Siヘテロエピタキシャル半導体薄膜における歪緩和機構(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
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概要
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- 2012-03-05
著者
-
岡本 博
産総研:crest:東大新領域
-
岡本 博之
金沢大医
-
水野 薫
島根大理工
-
山口 博隆
産総研
-
増永 和裕
金沢大理
-
Prete Paola
Ime-cnr
-
水野 薫
新日本製鉄先端技術研究所
-
海野 秀友
金沢大理
-
村上 潤
島根大理工
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