岡本 博之 | 金沢大医
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概要
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岡本 博之
金沢大医
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石原 裕
金沢大理
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岡本 博之
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金子 浩
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近浦 吉則
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重成 武
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東北大院理
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Ding H.
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毛利 信男
放送大埼玉学セ
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佐藤 功一
埼玉大院理工
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佐藤 亮介
埼玉大理
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中尾 朗子
理研
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内山 賢一
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宮下 将
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梶原 堅太郎
九工大工
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森 浩一
茨城県立医療大
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Prete P.
IMM-CNR
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Lovergine N.
Univ. of Lecce
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設楽 誓吾
東北大工
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水野 薫
島根大学理学部物理学科物理学教室
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阿部 浩二
電通大 量子・物質工学科
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Kastner M.
東北大院工
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平野 光樹
金沢大学理学部
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電通大量子・物質工
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豊永 元寛
電通大量子・物質工
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斉藤 篤
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小池 良浩
金沢大学理学部
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田所 三徳
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金沢大学理学部
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Soda Minoru
Neutron Science Laboratory Institute For Solid State Physics University Of Tokyo
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石原 裕
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広島大 理
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加藤 秀和
金沢大理
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佐藤 正俊
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Sato M
Information Media Center Of Kanazawa University
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金沢大理
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永島 裕紀
金沢大理
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小野 興太郎
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岡本 博之
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埼大理
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佐藤 一彦
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谷口 弘三
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高根沢 隆
金沢大学、理
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樫本 栄吾
金沢大学、理
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河井 孝夫
金沢大理
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谷口 弘三
金沢大理
著作論文
- 23aHS-9 X線断層トポグラフィによる水晶中の欠陥の三次元可視化II(23aHS 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション,転位,点欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20aHX-1 擬一次元導体In_xNb_3Te_4における過渡熱起電力効果測定(20aHX 超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 30pYD-1 β-ET_2X における超高圧誘起超伝導 I
- 28aYA-5 X線屈折コントラスト法によるチタン水素化物中の水素の拡散係数の決定(28aYA 格子欠陥・ナノ構造(水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- X線屈折コントラスト法によるTiおよびTiAl合金中の水素化物の可視化
- 25aYM-8 X線屈折コントラスト法によるチタン中の水素化物の観察II(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 17aTG-4 高平行度X線を用いたチタン中の水素化物の直接観察
- 24aYL-2 β'-(BEDT-TTF)_2ICl_2の大型単結晶育成とその評価(ET-ICl_2, 超高圧力等,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aYF-8 ZnTeホモエピタキシャル半導体薄膜の放射光トポグラフィによる結晶評価(格子欠陥・ナノ構造(力学物性・転位),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24aTH-4 Ba_K_BiO_3の自発歪み(超伝導,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 28aRB-1 水晶(SiO_2)の不整合相転移点近傍での分域形成過程(28aRB 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aTE-6 X線トポグラフによる水晶のINC相相転移近傍の変調構造及び分域構造の観察(誘電体,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 19pXA-6 光学及びX線トポグラフによる水晶の相境界近傍の変調構造の観察(誘電体,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25pWY-7 La_Sr_CuO_4の構造相転移における自発歪み(25pWY 薄膜・酸化物系,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 29p-J-2 Enhanced核スピン系:Ho_R_xVO_4(R=Y.Tm)の磁性
- 23aYF-3 DEI法によるチタン中の水素化物の観察(格子欠陥・ナノ構造(水素),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21pXQ-14 パルスレーザーを用いた擬一次元導体Nb_3X_4の熱起電力測定(超伝導・密度波,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 28aTD-1 高温超伝導体LSCOの格子歪み(28aTD 高温超伝導(中性子,X線,μSR,NMR),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27a-PS-33 Ba_K_xCu_3O_4Cl_2の磁性 : 帯磁率測定II
- 25p-P-10 Sc金属のde Hass-Van Alfen効果II
- 28a-ZJ-7 Sc金属のde Hass-Van Alfen効果
- 27p-APS-51 Ba_K_xCu_3O_4Cl_2の磁性 : 帯磁率測定
- 23aY-5 表面反射放射光トポグラフィによるMOCVD法で成長させたZnSe/GaAs薄膜の評価
- 27aYL-9 超高純度・低転位密度Al単結晶中の原子空孔源
- 24aB6 歪・焼鈍法で作製したアルミニウム単結晶の転位密度(バルク成長VII)
- 28a-ZA-13 歪・焼鈍法で作製した超高純度・低転位密度Al単結晶中の格子欠陥
- 29a-YG-10 Tl_2Ca_2Ba_2Cu_3O_xにおける^TlNMR-Tlと吸収線形
- 28p-YL-14 超伝導体Tl_2Ca_2Ba_2Cu_3O_XにおけるTl核NMR
- 21pYD-2 高分解能ARPESによるIn_xNb_3Se_4の超伝導/CDW転移機構(光電子分光・逆光電子分光,領域5(光物性))
- 28aYK-10 X線屈折コントラスト法による漆器のウルシ層の画像化(X線・粒子線(X線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20pTG-2 Pb をドープした Nb_3Te_4 の電気抵抗
- 19pTK-8 InをドープしたNb_3Te_4の伝導特性と電荷密度波
- 19pTK-7 金属をドープした擬一次元伝導体Nb_3Te_4の比熱
- 27pXF-4 高分解能角度分解光電子分光による擬1次元CDW化合物Nb_3Te_4のフェルミ面
- 25aWF-7 凝一次元超伝導体の超伝導転移温近傍における比熱
- 24pP-12 金属元素をドープしたNb_3Te_4の超伝導
- 23pPSB-10 Zr-遷移金属の電気的及び熱的性質
- 26pYM-13 金属元素をドープしたNb_3Te_4の電気的、熱的性質 I
- 29pYM-12 金属元素をドープしたNb_3Te_4の熱的、電気的性質 II
- 26pYM-10 Hg_xNb_3Te_4 の交流帯磁率測定
- 27a-YA-6 A_XNb_3Te_4(A:金属元素)の超伝導と熱的性質
- 7a-E-12 HgをドープしたNb_3Te_4の熱電能
- 30a-X-7 Nb_3Te_4のCDWとT_cに及ぼすHgドープ効果
- 28pRE-15 DEI法における密度変化分解能定量評価の試み(28pRE 領域10,領域5合同 X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27pRB-7 X線断層トポグラフィによる水晶中の欠陥の三次元可視化(27pRB 格子欠陥・ナノ構造(転位・表面・界面),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27pYC-3 超高純度・低転位密度AI単結晶中の原子空孔源 II
- 28aTA-1 HgをドープしたNb_3Te_4単結晶の作製と評価
- 22pYS-1 SPring-8白色X線トポグラフィックカメラによるNb_3Te_4単結晶の観察
- 低転位密度アルミニウム単結晶中の大きな原子空孔集合体
- 19pXB-6 VGF成長したZnSeウエハーのX線トポ・トモグラフィ的手法による評価(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21aXA-9 GaAs 基板上の ZnSe 薄膜の微小角入射トポグラフ
- 28pYG-5 微小角入射表面反射トポグラフィによる GaAs 基板上の ZnSe 薄膜の観察
- 29aZA-12 (BEDT-TTF)_2MCl_4(M=Fe, Ga) の圧力効果
- 17pTF-6 HgをドープしたNb_3Te_4単結晶の作製と評価II
- 28p-YF-1 Nb_3Te_4Hg_xの比熱
- 12a-D-4 Nb_3X_4 (X=S, Se, Te)の圧力効果
- 31p-T-4 Nb_3Te_4の超伝導
- 31p-T-3 Nb_3Se_4の低温比熱
- 28p-PS-103 Nb_3S_4の臨界磁場
- 28p-PS-102 Y_M_xBa_2Cu_3O_(M=Ho, Tm)の圧力効果
- 28p-ZC-7 擬一次元導体Nb_3Te_4の低温比熱
- 27a-ZB-13 Pb-Tl合金の超伝導
- 31p-Y-13 一次元電気伝導体Nb_3Te_4の電気伝導特性
- 6a-C-18 Nb_3S_4の臨海磁場H_とH_
- 5p-Y-9 YBa_2Cu_3O_のTcにおよぼすS添加効果
- 28pTJ-6 水晶中の新しいバーガースベクトルを持つ転位(28pTJ 格子欠陥・ナノ構造(金属・転位・点欠陥,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pGQ-5 水晶中の新しいバーガースベクトルを持つ転位(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21pGL-3 X線回折によるNd1111鉄プニクタイド超伝導体の自発歪みの研究(21pGL 鉄砒素系(111,1111系),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22pGQ-8 人工ダイヤモンド結晶中の格子欠陥(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 微小角入射X線トポグラフィによる半導体薄膜の結晶評価 (特集 X線トポグラフィの進展)
- 微小角入射X線トポグラフィによる半導体薄膜の結晶評価
- 24aCD-7 ナノワイヤー結晶から成長したGaAs/Siヘテロエピタキシャル半導体薄膜における歪緩和機構(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pBK-9 ドープされた三角格子モット絶縁体の一軸圧下電気抵抗測定(27pBK κ-ET系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pEB-8 ドープされた三角格子κ-(ET)_4Hg_Br_8の一軸圧-静水圧相図
- 29aXN-10 ドープされた三角格子有機伝導体κ-(ET)_4Hg_Br_8の固化オイルによる加圧下の電気抵抗測定(29aXN ダイマーモット絶縁体,領域7(分子性固体・有機導体))
- 3p-YK-11 Nb_3Te_4の超伝導特性に及ぼすHgドープ効果(3pYK 低温(超伝導),低温)
- 24aXW-8 金属をドープした擬一次元伝導Nb_3Te_4単結晶の比熱(24aXW 超伝導・CDW(近接効果磁性超伝導CDW),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波分野))
- 25aXR-1 全反射条件下での表面反射トポグラフィによる半導体簿膜の観察(25aXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))