24aYF-8 ZnTeホモエピタキシャル半導体薄膜の放射光トポグラフィによる結晶評価(格子欠陥・ナノ構造(力学物性・転位),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
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概要
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- 2008-02-29
著者
-
岡本 博之
金沢大医
-
水野 薫
島根大理工
-
金井 貴志
金沢大理
-
Prete P.
IMM-CNR
-
Lovergine N.
Univ. of Lecce
-
岡本 博之
金沢大学医薬保健研究域
-
水野 薫
島根大学総合理工学部
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