水野 薫 | 島根大総合理工
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概要
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水野 薫
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電通大量子・物質工
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電通大量子
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広島電機大
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電気通信大学量子・物質工学
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重成 武
電通大
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重成 武
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中野 諭人
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産総研
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東京大学工学部総合研究機構ナノ工学研究センター
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永井 慎也
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豊永 元寛
電通大量子・物質工
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Whitehouse C.r.
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空[ガ] 正紀
金沢大理
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Tanner B.k..
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Lacey G.
Univ. Of Sheffield
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MaecK P.
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Defense Research Agency, Malvern
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Defense Research Agency Malvern
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村上 潤
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松岡 寛
金沢大自然
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Prete Paora
IME-CNR
著作論文
- 31a-YK-13 原子空孔源として成長した転位ループの同定
- 28aRB-1 水晶(SiO_2)の不整合相転移点近傍での分域形成過程(28aRB 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aTE-6 X線トポグラフによる水晶のINC相相転移近傍の変調構造及び分域構造の観察(誘電体,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 19pXA-6 光学及びX線トポグラフによる水晶の相境界近傍の変調構造の観察(誘電体,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 27aYL-9 超高純度・低転位密度Al単結晶中の原子空孔源
- 24aB6 歪・焼鈍法で作製したアルミニウム単結晶の転位密度(バルク成長VII)
- 28a-ZA-13 歪・焼鈍法で作製した超高純度・低転位密度Al単結晶中の格子欠陥
- 27pYC-3 超高純度・低転位密度AI単結晶中の原子空孔源 II
- 7a-S-1 GaAs基板上のInGaAs薄膜における歪み緩和
- 25pKA-4 Si基板上にナノワイヤー結晶から成長させたGaAs薄膜の評価(格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))