超高圧超高分解能透過電子顕微鏡によるGaN極性直接評価とその応用(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
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概要
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超高圧超高分解能TEMによりGaN薄膜の格子極性の直接評価に成功した。この評価手段に基づきMBE法で成長された異なる極性を持つGaN薄膜の構造を評価し、窒素極性と思われるGaN薄膜に多数のインバージョンドメンが存在することが分かった。それに対しGa極性GaN薄膜にその種のインバージョンドメンが殆ど存在せず、均一な極性になっていることがわかった。そのインバージョンドメンが薄膜の品質に悪影響を与える原因と考えられる。さらに、In照射による極性反転のメカニズムも解明した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-06
著者
-
幾原 雄一
東京大学工学部総合研究機構
-
幾原 雄一
東大工
-
松畑 洋文
産業技術総合研究所
-
幾原 雄一
東京大学工学部
-
奥村 元
産業技術総合研究所
-
奥村 元
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
-
岩本 知広
熊本大学大学院自然科学研究科
-
松畑 洋文
産総研エネルギー半導体エレ
-
沈 旭強
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
-
岩本 知広
東京大学工学部総合研究機構
-
井手 利英
産業技術総合研究所
-
奥村 元
産業技術総合研
-
井手 利英
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
沈 旭強
産業技術総合研究所
-
幾原 雄一
東京大学工学系:東北大学WPI-AIMR:ファインセラミックスセンター
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