奥村 元 | 産業技術総合研究所
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概要
関連著者
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奥村 元
産業技術総合研究所
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奥村 元
産業技術総合研
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吉田 貞史
埼玉大学工学部
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石田 夕起
産業技術総合研究所
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吉川 正人
日本原子力研究所
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松畑 洋文
産業技術総合研究所
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奥村 元
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
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奥村 元
電子技術総合研究所
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伊藤 久義
原研高崎
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松畑 洋文
産総研エネルギー半導体エレ
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沈 旭強
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
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高橋 徹夫
産業技術総合研究所
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奥村 元
埼玉大学
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沈 旭強
産業技術総合研究所
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尾沼 猛儀
東北大学多元物質科学研究所
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宗田 孝之
早稲田大学理工学術院
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幾原 雄一
東京大学工学部総合研究機構
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伊藤 久義
原子力機構
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幾原 雄一
東京大学工学部
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奥村 元
産総研
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伊藤 久義
日本原子力研究所高崎研究所
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伊藤 久義
日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部
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秩父 重英
筑波大学物理工学系
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黒田 剛正
早稲田大学理工学部
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尾沼 猛儀
筑波大学物理工学系
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北村 寿朗
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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竹内 淳
早稲田大学理工学部
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DenBaars Steven
Department of Materials Engineering, University of California
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中村 修二
科学技術振興事業団中村不均一結晶プロジェクト
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宗田 孝之
早稲田大学
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岩本 知広
熊本大学大学院自然科学研究科
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竹内 淳
早稲田大 理工
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梨山 勇
高信頼性部品(株)
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岩本 知広
東京大学工学部総合研究機構
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井手 利英
産業技術総合研究所
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DENBAARS Steven
Electrical and Computer Engineering Department, University of California
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Denbaars Steven
Jst-erato中村pj:ucsb
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北村 寿朗
東理大
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Denbaars Steven
Materials Department University Of California
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Denbaars Steven
Department Of Electrical And Computer Engineering University Of California
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秩父 重英
筑波大物工
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中村 修二
Jst-erato中村pj:ucsb
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井手 利英
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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DenBaars Steven
Department of Electrical and Computer Engineering and Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106, U.S.A.
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幾原 雄一
東京大学工学系:東北大学WPI-AIMR:ファインセラミックスセンター
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大島 武
日本原子力研究開発機構
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森下 憲雄
原研高崎研
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伊藤 久義
原研高崎研
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土田 秀一
財団法人電力中央研究所 材料科学研究所
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若木 守明
東海大学工学部
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梨山 勇
原研高崎
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土田 秀一
電力中央研究所
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幾原 雄一
東大工
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小林 直人
電総研
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奥村 元
電総研
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吉田 貞史
電総研
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岡田 漱平
原研高崎
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森下 憲雄
原子力研究開発機構
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森下 憲雄
原研高崎
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大島 武
原子力研究開発機構
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河裾 厚男
原研高崎
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吉川 正人
原研高崎
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岡田 漱平
日本原子力研究所・高崎
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大西 一功
日本大学理工学部電子情報工学科
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高橋 芳浩
日本大学理工学部
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伊藤 久義
原研
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梨山 勇
日本原子力研究所高崎研究所
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高橋 芳宏
日本大学電子工学科
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大西 一功
日本大学電子工学科
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高橋 芳浩
日本原子力研究開発機構:日本大学
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直本 保
電力中央研究所
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土方 泰斗
埼玉大学工学部
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若木 守明
東海大学工学
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Kawasuso A.
東北大金研
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深澤 亮一
東海大学工学研究科
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太田 公広
電子技術総合研究所
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河裾 厚男
日本原子力研究所・高崎
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深澤 亮一
日本分光工業
-
深沢 亮一
東海大工
著作論文
- 8p-S-7 半導体SiC中の電子線照射欠陥の研究(IV)
- 立方晶および六方晶InGaNの発光特性比較 : 分極効果の有無と励起子局在効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 立方晶および六方晶InGaNの発光特性比較 : 分極効果の有無と励起子局在効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 窒化物系半導体薄膜での転位密度減少の観察
- 超高圧超高分解能透過電子顕微鏡によるGaN極性直接評価とその応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 超高圧超高分解能透過電子顕微鏡によるGaN極性直接評価とその応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- 炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- 原子力エレクトロニクスの新展開 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)
- 炭化ケイ素基板上に成長させた1200℃ドライ酸化膜中の界面欠陥の電気特性とその熱アニーリング効果(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- 分子線エピタキシー法によるIII族窒化物のエピタキシャル成長(III族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか)奥村,元
- MBE成長高濃度p型GaAsの過剰減衰LOフォノン-プラズモン結合モードによるラマン散乱
- 減圧CVD法によるSi基板上3C-SiCヘテロエピタキシャル成長膜の表面モフォロジー (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)
- Si基板上3C-SiCヘテロエピタキシャル膜の成膜機構及びそのショットキー障壁特性 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)
- 窒化物半導体の分子線エピタキシャル成長
- 窒化物半導体の電子デバイス応用の現状と課題 (特集:ワイドギャップ窒化物半導体)
- ワイドギャップ窒化物半導体エレクトロニクス材料の研究 (特集:ワイドギャップ窒化物半導体)