高橋 芳浩 | 日本原子力研究開発機構:日本大学
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
高橋 芳浩
日本大学理工学部
-
高橋 芳宏
日本大学電子工学科
-
高橋 芳浩
日本原子力研究開発機構:日本大学
-
大西 一功
日本大学理工学部電子情報工学科
-
小野田 忍
日本原子力研究開発機構
-
平尾 敏雄
日本原子力研究所 高崎研究所
-
小野田 忍
日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究所
-
平尾 敏雄
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
-
大島 武
日本原子力研究開発機構
-
吉川 正人
日本原子力研究所・高崎研究所
-
小野田 忍
原子力研究開発機構
-
出口 泰
日本大学理工学部電子工学科
-
平尾 敏雄
日本原子力研究開発機構:日本大学
-
小野日 忍
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
-
吉川 正人
日本原子力研究所
-
大島 武
原子力研究開発機構
-
吉川 正人
原研高崎
-
藤巻 剛
日本大学理工学部
-
大西 一功
日大理工学部
-
高橋 芳浩
日大理工学部
-
藤巻 剛
日大理工学部
-
平尾 敏雄
日本原子力研究開発機構
-
大西 理雄
日本大学理工学部電子工学科
-
山本 克美
日本大学理工学部
-
佐藤 順平
日本大学理工学部
-
佐藤 順平
日本大学理工学部電子工学科
-
山本 克美
日本大学理工学部電子工学科
-
神谷 富裕
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
-
大島 武
原研高崎
-
大嶋 武
原研高崎
-
奥村 元
産業技術総合研究所
-
奥村 元
電子技術総合研究所
-
伊藤 久義
日本原子力研究所高崎研究所
-
伊藤 久義
原研高崎
-
伊藤 久義
日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部
-
吉田 貞史
埼玉大学工学部
-
梨山 勇
高信頼性部品(株)
-
梨山 勇
日本原子力研究所高崎研究所
-
芝田 利彦
日本大学理工学部電子情報工学科
-
大西 一功
日本大学電子工学科
-
岡田 耕平
日本大学理工学部
-
今木 俊作
日本大学理工学部
-
吉川 正人
高崎原子力研究所
-
奥村 元
産業技術総合研
-
府金 賢
日本原子力研究開発機構
-
Wang X.W.
Yale University
-
Ma T.P.
Yale University
-
Cui G.J.
Jet Process Corporation
-
Tamagawa T.
Jet Process Corporation
-
Halpem B.
Jet Process Corporation
-
森 克文
日本大学理工学部
-
神谷 富裕
日本原子力研究開発機構
-
神谷 富裕
日本原子力研究所
-
府金 賢
日本原子力研究開発機構:日本大学
-
大島 武
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
-
牧野 高紘
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
-
小倉 俊太
日本大学理工学部
-
牧野 高紘
日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
-
牧野 高紘
日本原子力研究開発機構半導体耐放射線性研究グループ
著作論文
- MNOS構造のトータルドーズ効果における絶縁膜厚依存性
- MOS構造における重イオン照射誘起電流
- 傾斜エッチング法を用いたMetal-Nitride-Oxide-Si構造絶縁膜中の固定電荷分布及び電荷量の絶縁膜厚依存性評価
- MNOS構造のトータルドーズ効果における絶縁膜厚依存性
- 炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- 光CVD法によるシリコン窒化膜の熱処理効果
- フラッシュEEPROMのチャージポンピング電流とメモリ特性劣化
- フラッシュEEPROMのチャージポンピング電流測定
- 光CVD法によるシリコン窒化膜の熱アニール効果
- MOS構造のγ線照射前後での酸化膜中電荷分布評価
- C-10-6 MOS構造デバイスにおける重イオン照射誘起電流(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- Jet Vapor Deposition法により作製したSiC-MOS構造の電気的特性
- 光CVD法によるシリコン窒化膜の評価
- MOS構造の重イオン照射誘起電流及びトータルドーズ効果(半導体材料・デバイス)
- 1-3 SOIデバイスのソフトエラー耐性強化に関する検討(セッション1「試験と要素技術」)