光CVD法によるシリコン窒化膜の熱アニール効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
低温成膜法である光CVD法を用いてシリコン窒化膜を作製し、窒化後のアニール(PNA)及び、電極形成後のアニール(PMA)の効果について評価検討を行った。堆積温度は300℃であり、アニール温度は、400℃〜800℃とした。XPSにより膜の組成分析を行った結果、組成比N, Siは約0.9となり酸素が約4at%混入していることが分かり、またアニールを行うことによるSi、N、Oの組成変化は認められなかった。C-V測定により捕獲電荷や界面準位密度を評価した結果、400℃のPNAにより捕獲電荷が最小となり、良好な界面特性が得られた。800℃のPNAでは水素脱離に起因するトラップおよび界面準位密度の増加が見られた。またPMAを400℃で行うことでさらに界面特性が改善された。このPMA効果は電極であるA1の熱膨張によるストレスの変化によるものと考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-25
著者
-
大西 一功
日本大学理工学部電子情報工学科
-
高橋 芳浩
日本大学理工学部
-
高橋 芳宏
日本大学電子工学科
-
出口 泰
日本大学理工学部電子工学科
-
大西 理雄
日本大学理工学部電子工学科
-
高橋 芳浩
日本原子力研究開発機構:日本大学
関連論文
- MNOS構造のトータルドーズ効果における絶縁膜厚依存性
- 三相一括クランプによる相電流の計測の検討
- 形状・窓径が可変なZCTセンサの開発研究
- ロゴスキーコイルによる零相電流検出の特性向上に関する検討
- MOS構造における重イオン照射誘起電流
- 半導体シングルイベント効果研究の現状
- 半導体素子に対する放射線照射効果 : 最近の研究傾向
- 第37回原子力および宇宙放射線効果会議 : (NSREC)報告
- 第4回宇宙用半導体素子放射線影響 : 国際ワークショップ報告
- 傾斜エッチング法を用いたMetal-Nitride-Oxide-Si構造絶縁膜中の固定電荷分布及び電荷量の絶縁膜厚依存性評価
- MNOS構造のトータルドーズ効果における絶縁膜厚依存性
- SOI構造における重イオン誘起電荷の測定
- 炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- 光CVD法によるシリコン窒化膜の熱処理効果
- 半導体素子の信頼性
- フラッシュEEPROMのチャージポンピング電流とメモリ特性劣化
- フラッシュEEPROMのチャージポンピング電流測定
- 光CVD法によるシリコン窒化膜の熱アニール効果
- 第19回国際故障解析シンポジウム(ISTFA'93)参加報告
- MOS構造のγ線照射前後での酸化膜中電荷分布評価
- C-10-6 MOS構造デバイスにおける重イオン照射誘起電流(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- Jet Vapor Deposition法により作製したSiC-MOS構造の電気的特性
- 光CVD法によるシリコン窒化膜の評価
- 放射線による半導体素子の劣化・故障(故障物理と信頼性)
- 学問としての「信頼性」
- 探訪「MEMS研究最前線」 : 東京大学生産技術研究所 藤田博之教授研究室
- MOS構造の重イオン照射誘起電流及びトータルドーズ効果(半導体材料・デバイス)
- 1-3 SOIデバイスのソフトエラー耐性強化に関する検討(セッション1「試験と要素技術」)