傾斜エッチング法を用いたMetal-Nitride-Oxide-Si構造絶縁膜中の固定電荷分布及び電荷量の絶縁膜厚依存性評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
同一基板上で, エッチング時間を変化することにより, 場所により異なる絶縁膜厚を作製できる, 傾斜エッチング法を用いて, Metal-Nitride-Oxide-Si(MNOS)構造の絶縁膜中固定電荷分布, 及び電荷密度の各絶縁膜厚依存性の評価を行った. 2重絶縁膜製膜後に傾斜エッチングを行い, 膜厚に対するMIS構造のミッドギャップ電圧を測定・評価することにより電荷分布を評価した結果, 固定電荷はシリコン-酸化膜, 酸化膜-窒化膜各界面付近に局在していることがわかった. この方法を応用してミッドギャップ電圧の絶縁膜厚依存性を評価した結果, ミッドギャップ電圧は, 酸化膜厚及び窒化膜厚を用いた1次式で表現でき, また, この結果と理論式との比較により, 酸化膜-窒化膜界面の正電荷密度は酸化膜厚の増大に伴い減少することがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-01-25
著者
関連論文
- MNOS構造のトータルドーズ効果における絶縁膜厚依存性
- 三相一括クランプによる相電流の計測の検討
- 形状・窓径が可変なZCTセンサの開発研究
- ロゴスキーコイルによる零相電流検出の特性向上に関する検討
- MOS構造における重イオン照射誘起電流
- 半導体シングルイベント効果研究の現状
- 半導体素子に対する放射線照射効果 : 最近の研究傾向
- 第37回原子力および宇宙放射線効果会議 : (NSREC)報告
- 第4回宇宙用半導体素子放射線影響 : 国際ワークショップ報告
- 傾斜エッチング法を用いたMetal-Nitride-Oxide-Si構造絶縁膜中の固定電荷分布及び電荷量の絶縁膜厚依存性評価
- MNOS構造のトータルドーズ効果における絶縁膜厚依存性
- SOI構造における重イオン誘起電荷の測定
- 炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- 光CVD法によるシリコン窒化膜の熱処理効果
- 半導体素子の信頼性
- フラッシュEEPROMのチャージポンピング電流とメモリ特性劣化
- フラッシュEEPROMのチャージポンピング電流測定
- 光CVD法によるシリコン窒化膜の熱アニール効果
- 第19回国際故障解析シンポジウム(ISTFA'93)参加報告
- MOS構造のγ線照射前後での酸化膜中電荷分布評価
- C-10-6 MOS構造デバイスにおける重イオン照射誘起電流(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- Jet Vapor Deposition法により作製したSiC-MOS構造の電気的特性
- 光CVD法によるシリコン窒化膜の評価
- 放射線による半導体素子の劣化・故障(故障物理と信頼性)
- 学問としての「信頼性」
- 探訪「MEMS研究最前線」 : 東京大学生産技術研究所 藤田博之教授研究室
- MOS構造の重イオン照射誘起電流及びトータルドーズ効果(半導体材料・デバイス)
- 1-3 SOIデバイスのソフトエラー耐性強化に関する検討(セッション1「試験と要素技術」)