MOS構造における重イオン照射誘起電流
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概要
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重イオン照射時のMOS構造における過渡電流発生メカニズムについて検討を行った.AlゲートMOSダイオードに,重イオン(アルゴン,酸素)照射実験を行った結果,照射誘起過渡電流は,半導体表面が空乏状態となるバイアス条件でのみ観測され,そのピーク値は照射中の印加電圧,酸化膜厚,及び重イオンの素子内での線エネルギー付与に依存することが分かった.また,デバイスシミュレーションを用いた計算結果と実験結果との比較を行った結果,酸化膜を完全絶縁膜としたモデルにより実験結果を定量的に説明できることが分かり,MOS構造の重イオン照射誘起電流は酸化膜を介した変位電流成分が支配的であることを確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-03-01
著者
-
神谷 富裕
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
-
小野田 忍
原子力研究開発機構
-
大西 一功
日本大学理工学部電子情報工学科
-
高橋 芳浩
日本大学理工学部
-
小野田 忍
日本原子力研究開発機構
-
平尾 敏雄
日本原子力研究開発機構
-
芝田 利彦
日本大学理工学部電子情報工学科
-
高橋 芳宏
日本大学電子工学科
-
平尾 敏雄
日本原子力研究開発機構:日本大学
-
高橋 芳浩
日本原子力研究開発機構:日本大学
-
神谷 富裕
日本原子力研究開発機構
-
神谷 富裕
日本原子力研究所
-
平尾 敏雄
日本原子力研究所 高崎研究所
-
小野田 忍
日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究所
-
平尾 敏雄
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
-
小野日 忍
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
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