MNOS構造のトータルドーズ効果における絶縁膜厚依存性
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概要
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耐放射線性を有する絶縁膜構造として、MNOS (Metal-Nitride-Oxide-Semiconductor)構造に注目した。MNOS構造の電荷捕獲機構の解明を目的として、電荷捕獲トラップはSi-SiO_2,SiO_2-SiN界面付近に存在するとしたモデルを提案し、そのモデルを用いて照射中の電荷捕獲機構の定量的な解析を行った。その結果から放射線環境に最適な各膜厚条件の予測を行い、MOS構造に比べて耐放射線性に優れる膜厚条件がMNOS構造に存在することを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-03-10
著者
-
吉川 正人
日本原子力研究所
-
吉川 正人
日本原子力研究所・高崎研究所
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吉川 正人
原研高崎
-
大西 一功
日本大学理工学部電子情報工学科
-
藤巻 剛
日本大学理工学部
-
高橋 芳浩
日本大学理工学部
-
大西 一功
日大理工学部
-
高橋 芳浩
日大理工学部
-
藤巻 剛
日大理工学部
-
高橋 芳宏
日本大学電子工学科
-
高橋 芳浩
日本原子力研究開発機構:日本大学
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