六方晶炭化珪素半導体MOS構造のγ線照射効果 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)

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概要

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• 電子技術総合研究所の論文

著者

• 吉川 正人

  日本原子力研究所

• 大島 武

  原子力研究開発機構

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所高崎研究所

• 伊藤 久義

  原研高崎

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