マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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SiCは高出力,高周波デバイスの材料として注目されている.実用化を妨げる原因のひとつとしてウェハー中の結晶欠陥の存在が挙げられるが,デバイス特性と結晶欠陥の関係がわかっていない.よって結晶欠陥の評価が必要である.本研究では電子線照射により欠陥濃度を変化させたp型4H-SiC(0001)Si面エピタキシャル試料中の過剰キャリア減衰曲線をμ-PCD(反射マイクロ波光導電減衰)法によって測定した.過剰キャリアは欠陥濃度の高い試料ほど速く減衰し,さらに注入過剰キャリアが少ないほど速く減衰した.これらの減衰と数値計算によって得られた減衰曲線とを比較した結果,EH_<6/7>センター,Z_<1/2>センターの密度が小さいときはEH_<6/7>センターが減衰曲線に対して支配的に働き,EH_<6/7>センター,Z_<1/2>センターの密度が大きいときはZ_<1/2>センターが減衰曲線に対して支配的に働くということが考えられた.
- 2008-05-08
著者
-
大島 武
日本原子力研究開発機構
-
畑山 智亮
奈良先端科学技術大学院大学
-
加藤 正史
名古屋工業大学
-
市村 正也
名古屋工業大学機能工学専攻
-
大島 武
原子力研究開発機構
-
松下 由憲
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
市村 正也
名古屋工業大学、機能工学専攻
-
市村 正也
名古屋工業大学
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