ダイナミックストレスによる低温ポリシリコンTFTの信頼性評価(半導体Si及び関連電子材料評価)
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概要
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低温ポリシリコンTFTの信頼性劣化のメカニズムを解明することは、システムオンパネルの実現をめざす上で重要である。より現実に近い動作状態の信頼性を評価するために回路設計の基礎とも言えるCMOSインバータ回路を用いて、そのダイナミックストレスによる劣化を調べた。その結果、以下のような実験結果を得た。1)移動度がNchでは減少し、Pchでは増加する傾向が見られる。2)LDD構造を採用することにより劣化が緩和される。3)Nch劣化はストレスパルスの周波数に依存し、特にパルスの立ち下がりに依存する。4)225℃、1hのアニールにより劣化が回復し、ストレスを繰り返しても、その劣化量が増加することはない。以上の結果から、本劣化においてはホットエレクトロン劣化が支配的であると思われる。
- 1999-12-09
著者
-
畑山 智亮
Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology
-
畑山 智亮
奈良先端科学技術大学院大学
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
-
浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大
-
釜谷 智彦
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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