低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
25pZB-4 荷電粒子線照射による水素化アモルファスシリコンの光伝導度変化2(放射線物理(イオン-固体相互作用・放射線損傷・核反応),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
-
28aSK-1 荷電粒子線照射による水素化アモルファスシリコンの光伝導度変化(28aSK 放射線物理(放射線損傷・電離・イオン-表面相互作用),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
擬三次元シミュレーションによる多結晶シリコン薄膜太陽電池の動作解析(半導体Si及び関連電子材料評価)
-
単結晶シリコン薄膜太陽電池のシミュレーショシによる最適化設計(半導体Si及び関連電子材料評価)
-
4H-SiC MOS界面へのリンの導入による界面準位密度の低減 (シリコン材料・デバイス)
-
GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
-
ダイナミックストレスに対するp型低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価
-
宇宙用論理LSIで発生する放射線誘起スパイクノイズの研究(宇宙応用シンポジウム-観測・通信衛星の軌道上評価と将来衛星搭載機器開発-)
-
NO直接酸化法により作製したC面上4H-SiC MOSデバイスの特性(シリコン関連材料の作製と評価)
-
Ga_2O3-In_2O_3-ZnO(GIZO)薄膜を用いた薄膜トランジスタの劣化(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
-
4H-SiC nMOSFETおよびpMOSFETに対するチャージポンピング測定(シリコン関連材料の作製と評価)
-
高圧水蒸気処理によるSiO_2/4H-SiC界面改質とMOSFET特性(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
-
高圧水蒸気熱処理したSiO_2/4H-SiC界面特性の改善(シリコン関連材料の作製と評価)
-
シリコンナノクリスタルドットの形成(半導体Si及び関連材料・評価)
-
炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
-
ダイナミックストレスに対するp型低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価
-
マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
C-10-6 MOS構造デバイスにおける重イオン照射誘起電流(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
-
Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
低温ポリシリコンTFTにおけるホットキャリア効果
-
低温ポリシリコンTFTにおけるダイナミックストレスに対する信頼性
-
低温ポリシリコンTFTにおけるダイナミックストレスに対する信頼性
-
24pZB-7 SiC半導体検出器の分光感度測定(半導体検出器,素粒子論)
-
GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
-
単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
-
単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
-
単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
-
Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
-
Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
-
Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
-
25pXA-11 SiC半導体粒子検出器の研究・開発
-
SiC半導体へのイオン注入による不純物ドーピング
-
Euをイオン注入したGaNの発光特性
-
Euをイオン注入したGaNの発光特性
-
Euをイオン注入したGaNの発光特性
-
高温イオン注入により導入した6H-SiC中のリン不純物の電気的活性化率と残留欠陥の関係 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
-
CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
-
電子線照射によって生じるC変位によるAl-doped 4H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度減少について(シリコン関連材料の作製と評価)
-
200keV電子線照射によるSiCエピ膜中の耐放射線性に関する研究 : ドープ量依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
-
電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度変化(シリコン関連材料の作製と評価)
-
30pZA-5 SiC半導体粒子検出器の研究・開発(半導体検出器)(素粒子実験)
-
Aluminum Induced Crystallization法を利用した多結晶Si薄膜の形成と評価
-
22aTG-12 イオン注入法により作製したMnドープ3C-SiCの構造と磁性(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
4H-SiC MOS界面へのリンの導入による界面準位密度の低減(シリコン関連材料の作製と評価)
-
CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
-
CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
-
23pRH-3 水素化アモルファスシリコン半導体の放射線誘起電気伝導(23pRH 放射線物理(イオンビーム照射効果・阻止能),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
低温Poly-Si TFTにおける発熱劣化の解析(シリコン関連材料の作製と評価)
-
極薄ゲートSiO_2膜Poly-Si CMOSトランジスタのホットキャリア劣化(シリコン関連材料の作製と評価)
-
Side-Wall電極型PECVDによるSiナノドットメモリ(シリコン関連材料の作製と評価)
-
窒素励起活性種を用いたPLD-HfSixOy膜への窒素導入 : Hfの組成と窒素プロファイルの制御(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
-
励起活性種を用いた極薄シリコン窒化膜の低温形成と構造解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
-
励起活性種を用いた極薄ゲート酸窒化膜の低温形成
-
Gate-Overlapped LDD構造をもつ低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価
-
Gate-Overlapped LDD構造をもつ低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価
-
Gate-Overlapped LDD構造をもつ低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価
-
SC-8-12 Reliability of Low-Temperature Poly-Si Thin Film Transistors under Dynamic Stress
-
民生用大容量メモリのシングルイベントアップセット耐性評価
-
Ga_2O_3-In_2O_3-ZnO(GIZO)薄膜を用いた薄膜トランジスタの劣化(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
-
デバイスシミュレーションによる低温ポリシリコンTFTの動作/信頼性解析
-
デバイスシミュレーションによる低温ポリシリコンTFTの動作/信頼性解析
-
窒素励起活性種を用いたシリコン酸化膜の低温窒化
-
窒素励起活性種を用いたシリコン酸化膜の低温窒化
-
窒素励起活性種を用いたシリコン酸化膜の低温窒化
-
第7回宇宙用半導体素子放射線影響国際ワークショップ(7thRASEDA)の紹介
-
Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討
-
Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討
-
25pRA-9 水素化アモルファスシリコン半導体の陽子線照射に伴うゼーベック係数変化(25pRA 放射線物理(固体との相互作用・クラスター),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
耐放射線性の炭化ケイ素半導体デバイスの開発
-
200kev電子線照射による4H-SiCエピ膜中の多数キャリア密度の変化(シリコン関連材料の作製と評価)
-
p-チャネル低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性
-
21aEB-1 不純物ドープされた水素化アモルファスシリコン半導体のイオン照射による電気伝導度変化(21aEB 放射線物理(照射効果),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
ダイナミックストレスによる低温ポリシリコンTFTの信頼性評価(半導体Si及び関連電子材料評価)
-
SiO_2/p型4H-SiC界面特性におけるPOCl_3アニールの効果(シリコン関連材料の作製と評価)
-
1-3 SOIデバイスのソフトエラー耐性強化に関する検討(セッション1「試験と要素技術」)
-
25aAB-3 自己イオン照射による水素化アモルファスシリコン薄膜の電子輸送機構変化(25aAB 放射線物理(放射線損傷・放射線計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
SiGeC界面緩衝層を用いた3C-SiC/Siヘテロエピタキシー
-
低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
宇宙用論理LSIで発生する放射線誘起スパイクノイズの研究
-
SiO_2/p型4H-SiC界面特性におけるPOCl_3アニールの効果
-
19pAJ-4 イオン照射による水素化アモルファスシリコンのゼーベック係数変化(19pAJ 放射線物理(放射線損傷・放射線計測・二次電子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
27pEG-1 陽子線照射による水素化アモルファスシリコン太陽電池の特性劣化と電気伝導度変化の関係(27pEG 放射線物理(放射線損傷・阻止能・二次電子放出・クラスター),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
C-12-39 0.2-μmFD-SOIプロセスで作られた位相同期回路の放射線耐性評価(メモリ及びデバイス・回路強調設計技術,C-12.集積回路,一般セッション)
-
C-12-28 民生用FPGAにおける放射線起因エラーの評価(LSIアーキテクチャ,C-12.集積回路,一般セッション)
-
4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
-
高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価
-
低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価
-
低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク