C-12-39 0.2-μmFD-SOIプロセスで作られた位相同期回路の放射線耐性評価(メモリ及びデバイス・回路強調設計技術,C-12.集積回路,一般セッション)

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概要

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• 2013-09-03

著者

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構

• 廣瀬 和之

  総合研究大学院大学

• 柴田 優一

  東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻

• 小林 大輔

  東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻,宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所

• 牧野 高紘

  日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門

• 星野 英二郎

  東京大学大学院工学系研究科

• 梯 友哉

  宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所

• 廣瀬 和之車

  東京大学大学院工学系研究科,宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所

• 柴田 優一

  東京大学大学院工学系研究科

• 牧野 高紘

  日本原子力研究開発機構半導体耐放射線性研究グループ

• 小林 大輔

  東京大学大学院工学系研究科,宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所

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