4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

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概要

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• 4H-SiC MOS型電界効果トランジスタ(MOSFET)はノーマリーオフ,高パワー密度,超低損失のパワーデバイスとして期待され,実用化が進められている.しかし,そのMOS界面は大きな問題を抱えており,界面準位の起源もいまだにはっきりしていない.そこで4H-SiC MOSFETのMOS界面を電流検出電子スピン共鳴分光法(EDMR)で測定し,MOS界面準位の起源について調べた.その結果,4H-SiC(0001)面(Si面)と4H-SiC(000-1)面(C面)で性質の違う界面欠陥が検出された.また,現在スタンダードとなっているSi面の界面窒化では界面準位の範疇に収まらない大きな変化(窒素ドーピング,界面固定窒素の発生)が観測された.

• 一般社団法人電子情報通信学会の論文
• 2013-06-11

著者

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構

• 岡本 光央

  産業技術総合研究所

• 奥村 元

  産業技術総合研

• 原田 信介

  産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 小杉 亮治

  産業技術総合研究所

• 牧野 高紘

  日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門

• 荒井 亮

  筑波大学数理物質科学研究科

• 梅田 享英

  筑波大学数理物質科学研究科

• 佐藤 嘉洋

  筑波大学数理物質科学研究科

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構半導体耐放射線性研究グループ

• 牧野 高紘

  日本原子力研究開発機構半導体耐放射線性研究グループ

• 小杉 亮治

  産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター

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