産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
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概要
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AIST/PERCは、SiC及びGaNを用いたパワーエレクトロニクス技術を結晶成長からシステムまで研究している。本論分においては、(1)(0001)面、(11-20)面、(000-1)面において高チャネル移動度を得るためのSiC MOSの形成方法、(2)ゲート酸化膜の長期信頼性(TZDB, TDDB)、(3)SiC DMOS、(4)SiC JFET(SIT)について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-23
著者
-
加藤 真
産業技術総合研究所
-
田中 保宣
産業技術総合研究所
-
岡本 光央
産業技術総合研究所
-
荒井 和雄
産業技術総合研究所
-
八尾 勉
産業技術総合研究所
-
安達 和広
産業技術総合研究所
-
高尾 和人
産業技術総合研究所
-
安達 和広
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
高尾 和人
東芝
-
福田 憲司
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
原田 信介
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
小杉 亮治
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
先崎 純寿
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
児島 一聡
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
下里 淳
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
八尾 勉
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
原田 信介
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
岡本 光央
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
福田 憲司
産業技術総合研究所
-
小杉 亮治
産業技術総合研究所
-
福田 憲司
産業技術総合研
-
田中 保宣
独立行政法人産業技術総合研究所
-
児島 一聡
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
-
下里 淳
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
-
小杉 亮治
産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター
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