4.5kV-400A Si-IEGT+SiC-PiN ダイオードハイブリッドペアモジュールによる高電圧大電力変換器の4kHzスイッチング動作の実証
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2012-10-25
著者
-
和田 圭二
首都大学東京
-
高尾 和人
東芝
-
田中 保宣
産総研
-
成 慶〓
茨城高専
-
四戸 孝
東芝
-
金井 丈雄
東芝三菱電機産業システム
-
大橋 弘通
産総研
-
西澤 伸一
産総研
-
大田 千春
東芝
-
松岡 祐司
東芝三菱電機産業システム
関連論文
- 電力変換回路近傍におけるパルス電流に起因する誘導ノイズの解析
- 省エネの切り札--炭化ケイ素スーパショットキーバリアダイオード
- これからの"まち"と"すまい"を追究する : 都市住宅技術研究所の取組み
- TDRによる電圧依存性のキャパシタンス測定法
- インバータ研究プラットフォームを用いた回路内部を循環する伝導ノイズの解析
- インバータ研究プラットフォームの構築と基本特性評価
- パワーデカップリング機能を有するフォワード形単相系統連系インバータの高効率化
- PWMインバータ用フィルタインダクタ鉄損の瞬時算出手法
- 動的マイナーループに伴うインダクタの鉄損評価
- 200kHzPWMインバータが発するノイズのモデリングとその抑制法
- 20kHz高磁界発生装置の開発
- Si-MOSFET/SiC-SBDペアによる高パワー密度電力変換器のための素子限界損失解析法
- 高周波チョッパ回路において発生する内部ノイズ電流の解析
- SiC-PiNダイオードとIEGTのハードドライブによる高電圧・大容量変換器の高周波化
- 2直列接続Si-IEGTとSiC-PiNダイオードペアのスイッチング特性の実験結果
- Si-IEGTとSiC-PiNダイオードを用いたハイブリッドペアモジュールの熱設計
- 最近の電力用機器の構造と材料(12)最近のパワーエレクトロニクスデバイスと材料
- 電力変換回路近傍におけるパルス電流に起因する誘導ノイズの解析
- B-4-40 20kHz一様磁界入射による妊娠ラット内の誘導電流・電界ドシメトリ(B-4.環境電磁工学,一般セッション)
- 産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- SiCショットキーバリアダイオードの高di/dtスイッチング特性
- X線可視化・シミュレーションによる単結晶育成過程の追跡
- 電圧形インバータを用いた細胞曝露評価用20kHz磁界発生装置の開発
- SiCハイブリッドペアによる低損失インバータ
- パワーデバイス高性能化・高機能化技術調査専門委員会
- SiCパワーデバイスの動向と展望 (特集 「シリコンカーバイド」がやって来た--実用化に向け動き出した次世代パワーデバイス材料)
- 4H-Sic浮遊接合SBD(Super-SBD) (第19回 SIデバイスシンポジウム講演論文集)
- SiCパワーデバイス
- SiCを中心にワイドバンドギャップ半導体を用いた次世代パワーデバイスの研究開発動向を紹介 ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイスの開発動向 (特集1 2003年版パワー半導体デバイス活用技術--電源用IC、パワーMOSFET、IGBTからワイドバンドギャップ半導体まで)
- 局所曝露を目的とした磁界発生コイル用電源装置の開発 (環境電磁工学)
- 電圧形インパータを用いた細胞曝露評価用20kHz磁界発生装置の開発(電力,生体,一般)
- 産業インフラを支える高電圧大電力パワーエレクトロニクスの動向
- TDRによるMOSFET電圧依存性のキャパシタンス測定法
- BI-2-4 高周波PWMインバータを対象にした電磁ノイズ対策(BI-2.省エネ機器(パワーエレクトロニクス機器)のEMC問題,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- Sic-PiNダイオードとSi-IEGTのハイブリッドペアによる高周波駆動大電力変換装置
- 複数の電力変換装置から構成されるシステムにおける雑音端子電圧低減に適したキャリア位相制御法
- B-4-22 妊娠ラット用20kHz局所磁界曝露装置の開発(B-4.環境電磁工学,一般セッション)
- P-059 中間周波磁界の変異原性およびDNA修復系欠損細胞を用いた毒性の評価(ポスターセッション)
- 高速電流制御機能を有する薄型インバータ
- パワーデカップリング形太陽光発電用高効率インバータの制御方式
- PWMインバータ複数台駆動による20kHz磁界発生装置の高性能化
- パルス電界と誘電泳動を用いたマイクロ殺菌システム用電源装置
- 局所曝露を目的とした磁界発生コイル用電源装置
- 細胞曝露評価用磁界発生装置の高出力化に向けた検討
- 電力変換回路近傍の放射電磁界の測定と制御回路への影響評価
- 電磁誘導ノイズを低減可能なラミネートブスバー構造
- ブスバー配線の寄生インダクタンスを考慮した配線構造設計
- 妊娠ラット用ばく露装置の開発とドシメトリによる評価(生体,EMC,一般)
- パワー密度25W/cm^3級All-SiC三相インバータの設計と試作評価
- 電磁誘導ノイズを低減可能なラミネートブスバー構造 (半導体電力変換 モータドライブ合同研究会・半導体電力変換一般、モータードライブ一般)
- パワーMOSFETの信頼性評価を目的とした非破壊試験回路の検討
- B-4-35 妊娠ラット用20kHz局所磁界ばく露装置における胎児の内部誘導電界の不確定性の検討(B-4.環境電磁工学,一般セッション)
- ラミネートブスバー近傍における電磁誘導ノイズの解析
- 産業用エレクトロニクス技術講演会(1)可変速駆動システムのEMC規格の規格化
- ブスバー配線の寄生インダクタンスを考慮した配線構造設計
- 複数の電力変換装置から構成されるシステムにおける雑音端子電圧低減に適したキャリア位相制御法
- 中間周波電磁界の生体影響に関する研究
- パルス電界と誘電泳動を用いたマイクロ殺菌システム用電源装置
- 半導体電力変換装置に接続したEMIフィルタの減衰特性評価法
- 高速スイッチング回路を対象にしたラミネートバスバーの共振解析
- 三相PWMインバータのスイッチング周波数限界設計
- 4.5kV-400A Si-IEGT+SiC-PiNダイオードハイブリッドペアモジュールによる高電圧大電力変換器の4kHzスイッチング動作の実証
- 統合シミュレーションを用いた1.2kV-300 A SiC モジュールの開発
- 電力変換回路近傍の放射電磁界の測定と制御回路への影響評価
- 細胞曝露評価用磁界発生装置の高出力化に向けた検討
- 細胞曝露評価用磁界発生装置の高出力化に向けた検討
- C-025 高電磁環境下で論理回路に発生する過渡故障の実験的評価(ディペンダブルシステム,C分野:ハードウェア・アーキテクチャ)
- 首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻パワーエレクトロニクス研究室
- ディジタル・パワー制御の高信頼化に関する試み(ディペンダブルコンピューティングシステム及び一般)
- 4.5kV-400A Si-IEGT+SiC-PiN ダイオードハイブリッドペアモジュールによる高電圧大電力変換器の4kHzスイッチング動作の実証
- 高速スイッチング回路を対象にしたラミネートバスバーの共振解析
- 統合シミュレーションを用いた1.2kV-300A SiCモジュールの開発
- ディジタル・パワー制御の高信頼化に関する試み(ディペンダブルコンピューティングシステム及び一般)
- 高速デジタル過電流保護回路の実験検討
- ヒートシンク分割手法を用いた高周波スイッチングPWMインバータの回路実装