TDRによるMOSFET電圧依存性のキャパシタンス測定法
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概要
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The measurement of circuit parasitic parameters and evaluation of equivalent circuit models are necessary for a noise analysis or a high-speed operation circuit design of power electronics circuits. Recently, time domain reflectmetry (TDR) has emerged as a technique for measuring circuit parameters. This paper proposes a TDR method for measuring the voltage-dependent capacitance of a power MOSFET. This method can be used to measure the output capacitance Coss of a MOSFET for any DC bias voltage. The Coss of a MOSFET with VDS=350 V was measured in an experiment, while the datasheet gives values of Coss only for V DS values in the range 35-100 V.
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