Si-MOSFET/SiC-SBDペアによる高パワー密度電力変換器のための素子限界損失解析法
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概要
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- 2005-10-27
著者
-
成 慶〓
産業技術総合研究所エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ
-
大橋 弘通
産業技術総合研究所エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ
-
荒井 和雄
産業技術総合研究所
-
安達 和広
産業技術総合研究所
-
成 慶〓
東京工業大学
-
成 慶〓
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
-
色川 泰史
東京工業大学
-
高尾 和人
産業技術総合研究所
-
大橋 弘通
産業技術総合研究所
-
安達 和広
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
高尾 和人
東芝
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