4.3mΩcm^2, 1100VノーマリオフSiC IE-MOSFET
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概要
- 論文の詳細を見る
- 2005-10-27
著者
-
加藤 真
産業技術総合研究所
-
岡本 光央
産業技術総合研究所
-
荒井 和雄
産業技術総合研究所
-
八尾 勉
産業技術総合研究所
-
安達 和広
産業技術総合研究所
-
安達 和広
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
福田 憲司
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
原田 信介
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
荒井 和雄
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
八尾 勉
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
原田 信介
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
岡本 光央
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
福田 憲司
産業技術総合研究所
-
福田 憲司
産業技術総合研
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