新規半導体(SiC,GaN)のパワーエレクトロニクスへの展開

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概要

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• エネルギー総合工学研究所の論文

著者

• 荒井 和雄

  産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 荒井 和雄

  独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

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