荒井 和雄 | 独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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概要
関連著者
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荒井 和雄
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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荒井 和雄
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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八尾 勉
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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荒井 和雄
Advanced Industrial Science and Technology (AIST)
著作論文
- SiCショットキーバリアダイオードの高di/dtスイッチング特性
- パワーエレクトロニクス分野の新しい息吹 (創刊88周年記念特集 わが国産業技術の再生を目指す)
- 日本におけるSiC研究開発の現状と展望(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 日本におけるSiC研究開発の現状と展望(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 新規半導体(SiC,GaN)のパワーエレクトロニクスへの展開
- SiCパワーデバイス実用化へのシナリオ