パワーエレクトロニクス分野の新しい息吹 (創刊88周年記念特集 わが国産業技術の再生を目指す)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 埋込ゲート型SiC-SIT(BGSIT)の設計・試作及び電気特性評価
- [特別講演]次々世代CPU用電源(小テーマ:部品・デバイス・材料技術関連)
- Si-MOSFET/SiC-SBDペアによる高パワー密度電力変換器のための素子限界損失解析法
- 産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- SiCショットキーバリアダイオードの高di/dtスイッチング特性
- 高濃度オゾンによるSiC高速酸化と酸化膜の特性評価
- 4.3mΩcm^2, 1100VノーマリオフSiC IE-MOSFET
- 2.7mΩcm^2, 700Vを有する4H-SiC C面IEMOSFET
- 4.3mΩcm^2, 1100VノーマリオフSiC IE-MOSFET
- パワーエレクトロニクス分野の新しい息吹 (創刊88周年記念特集 わが国産業技術の再生を目指す)
- SiC MOSFETの諸問題と基礎技術
- 日本におけるSiC研究開発の現状と展望(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 日本におけるSiC研究開発の現状と展望(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 新規半導体(SiC,GaN)のパワーエレクトロニクスへの展開
- SiCパワーデバイス実用化へのシナリオ