2.7mΩcm^2, 700Vを有する4H-SiC C面IEMOSFET
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概要
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- 2006-10-24
著者
-
加藤 真
産業技術総合研究所
-
岡本 光央
産業技術総合研究所
-
荒井 和雄
産業技術総合研究所
-
八尾 勉
産業技術総合研究所
-
安達 和広
産業技術総合研究所
-
安達 和広
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
福田 憲司
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
原田 信介
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
荒井 和雄
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
八尾 勉
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
原田 信介
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
岡本 光央
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
福田 憲司
産業技術総合研究所
-
福田 憲司
産業技術総合研
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