岡本 光央 | 産業技術総合研究所
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概要
関連著者
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岡本 光央
産業技術総合研究所
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荒井 和雄
産業技術総合研究所
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八尾 勉
産業技術総合研究所
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安達 和広
産業技術総合研究所
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安達 和広
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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原田 信介
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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八尾 勉
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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岡本 光央
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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加藤 真
産業技術総合研究所
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福田 憲司
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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原田 信介
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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福田 憲司
産業技術総合研究所
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福田 憲司
産業技術総合研
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田中 保宣
産業技術総合研究所
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荒井 和雄
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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小杉 亮治
産業技術総合研究所
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田中 保宣
独立行政法人産業技術総合研究所
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小杉 亮治
産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター
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高尾 和人
産業技術総合研究所
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高尾 和人
東芝
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小杉 亮治
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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先崎 純寿
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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児島 一聡
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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下里 淳
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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児島 一聡
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
-
下里 淳
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
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大島 武
日本原子力研究開発機構
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高塚 章夫
産業技術総合研究所
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矢野 浩司
山梨大学大学院
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奥村 元
産業技術総合研
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牧野 高紘
日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
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荒井 亮
筑波大学数理物質科学研究科
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梅田 享英
筑波大学数理物質科学研究科
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佐藤 嘉洋
筑波大学数理物質科学研究科
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大島 武
日本原子力研究開発機構半導体耐放射線性研究グループ
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牧野 高紘
日本原子力研究開発機構半導体耐放射線性研究グループ
著作論文
- 埋込ゲート型SiC-SIT(BGSIT)の設計・試作及び電気特性評価
- 産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 2.7mΩcm^2, 700Vを有する4H-SiC C面IEMOSFET
- 4.3mΩcm^2, 1100VノーマリオフSiC IE-MOSFET
- 4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)