田中 保宣 | 産業技術総合研究所
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概要
関連著者
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田中 保宣
産業技術総合研究所
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田中 保宣
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産業技術総合研究所エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ
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産業技術総合研究所
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産業技術総合研究所
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高尾 和人
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先崎 純寿
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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八尾 勉
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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岡本 光央
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
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成 慶〓
産業技術総合研究所エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ
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NTTファシリティーズ
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原研高崎
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大嶋 武
原研高崎
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産業技術総合研究所
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児島 一聡
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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下里 淳
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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原田 信介
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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福田 憲司
産業技術総合研究所
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小杉 亮治
産業技術総合研究所
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福田 憲司
産業技術総合研
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小野田 忍
日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究所
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児島 一聡
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
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小杉 亮治
産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター
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大島 武
日本原子力研究開発機構
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松本 暁
NTTファシリティーズ
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大島 武
原子力研究開発機構
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小野田 忍
原子力研究開発機構
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矢野 浩司
山梨大学大学院
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成 慶〓
茨城工業高等専門学校
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鈴木 一馬
東京工業大学
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成 慶〓
東京工業大学
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金井 丈雄
東芝三菱電機産業システム
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秋山 裕信
茨城工業高等専門学校
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奥村 元
産業技術総合研
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荒井 和雄
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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新井 学
新日本無線(株)
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斉藤 杏実
千葉大学
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MUSTAPHA AACHIQ
千葉大学
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小原 秀嶺
千葉大学
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奥村 元
産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター
著作論文
- 埋込ゲート型SiC-SIT(BGSIT)の設計・試作及び電気特性評価
- B-9-17 直流半導体遮断器の小型化に関する考察(B-9.電子通信エネルギー技術,一般セッション)
- SiC-PiNダイオードとSi-IEGTの組合せにおける損失解析方法
- SiC-SIT直流遮断器の実用化に向けた検討 : 模擬直流給電システムにおける実動作試験
- 2直列接続Si-IEGTとSiC-PiNダイオードペアのスイッチング特性の実験結果
- 産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 耐放射線性の炭化ケイ素半導体デバイスの開発
- SiC半導体デバイスの進展と放射線
- 高電圧直流給電システム用SiC-SIT直流遮断器のアクティブ電圧制御
- SiC-MOSゲート構造の高信頼性化(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)